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发明公开
一种高瞬态响应无片外电容的PMOS驱动级稳压电路审中-实审

公开(公告)号：CN119311064A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411402623.1

申请日：2024-10-09

Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 , 周颖豪 , 王闻逸 , 郑逸飞 , 袁伟民 , 杜雨琪 , 时龙兴

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，属于稳压电路领域，包括包括基准电压产生单元、辅助上拉单元、主调整单元和辅助下拉单元。本发明采用高压MOS器件实现无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，能够减小芯片面积，提高电路的瞬态响应速度，为驱动级电路提供稳定的电压。

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