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公开(公告)号：CN110727046A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810776259.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供的三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；将所述正面与一载体晶圆键合；形成球形焊点于所述背面；自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。本发明在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN119937090A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510253517.X
申请日：2025-03-05
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化硅波导结构的制备方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有氮化硅波导层；在所述氮化硅波导层表面依次形成第一氧化硅层、多晶硅层和第二氧化硅层，形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层进行图案化处理，形成刻蚀硬掩膜；对所述氮化硅波导层进行刻蚀处理，形成目标氮化硅波导结构；移除剩余的刻蚀硬掩膜。本发明基于三层结构的硬掩模以及通过对各层硬掩模薄膜厚度的优化，能够将刻蚀尺寸偏差控制在极小范围内，且刻蚀的波导结构侧壁光滑、垂直度好，能够有效降低氮化硅端面耦合器的耦合损耗及氮化硅波导的传输损耗。
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公开(公告)号：CN119310682A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310861464.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种偏振不敏感的微环谐振器，基于SION波导的总线波导与跑道环形波导设计成微环谐振器，其结构设计简单，并将SION波导的截面形状控制为正方形，使的TE模式的有效折射率接近于TM模式的有效折射率，从而使得微环谐振器具有谐振波长偏振不敏感特性，且由于总线波导与跑道环形波导在直波导区域发生耦合且耦合区域的光耦合系数与波导的有效折射率均相同，尤其是在O波段(1260nm～1360nm)处，在中心波长为1310nm处实现了非常优异的偏振不敏感的特性，从而实现了微环谐振器具有很好的耦合区偏振不敏感特性，并且基于上述结构设计的微环谐振器具有较低的插入损耗，从而扩展了微环谐振器在偏振不敏感需求较高的滤波器、波分复用系统以及光学传感器等领域的应用。
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公开(公告)号：CN112242343B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910646559.4
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN118213270A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211626287.X
申请日：2022-12-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种图形半导体衬底的平坦化方法，包括：1)在衬底上形成牺牲衬垫层；2)在衬底中刻蚀出图形凹槽，并沉积绝缘层；3)于绝缘层上沉积研磨衬垫层；4)于图形凹槽上形成刻蚀阻挡层，刻蚀以去除第二绝缘部的部分厚度；5)第一次化学机械研磨，基于研磨衬垫层使得第一绝缘部的去除速率小于第二绝缘部的去除速率，第二绝缘部的顶面高于牺牲衬垫层的顶面；6)第二次化学机械研磨，第二绝缘部的去除速率大于牺牲衬垫层的去除速率，以在去除牺牲衬垫层时使第二绝缘部的顶面与衬底的顶面齐平。本发明实现了一种超深、大图形平坦化的工艺方法，可以用于微机电系统工艺及硅基光电子器件工艺，可有效提高后续工艺的窗口，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118086864A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211430028.X
申请日：2022-11-15
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮氧化硅波导层的制作方法，包括以下步骤：于反应腔室中通入反应气体，反应气体包括SiH4、N2O与NH3，其中，SiH4的气体流量范围为110～120sccm，N2O的气体流量范围为700～900sccm，NH3的气体流量范围为20～30sccm；采用等离子体增强化学气相沉积法生成氮氧化硅薄膜层；对氮氧化硅薄膜层进行高温退火，高温退火的温度不低于1000℃。本发明的氮氧化硅波导层的制作方法中，通过调节气体比例，调节氮氧化硅薄膜层中的氮原子含量，降低氮氧化硅薄膜层的应力，在高温退火后氮氧化硅薄膜层不会发生膜裂，能够降低光损耗，可广泛应用于硅光子领域。
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公开(公告)号：CN116247109A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485465.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构，波导型光电探测器包括：衬底，衬底上形成有探测器区域，探测器区域包括N型掺杂区以及位于N型掺杂区局部区域的N型重掺杂形成N型重掺杂区；第一锗光吸收层，位于N型掺杂区上；P型重掺杂的锗材料层，位于第一锗光吸收层上；第二锗光吸收层，位于P型重掺杂的锗材料层上；N型重掺杂的锗材料层，位于第二锗光吸收层上。本发明通过双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
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公开(公告)号：CN116153850A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111392254.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，包括：1)于基底形成非对称深沟槽；2)第一次沉积第一隔离介质层，随着第一隔离介质层的生长，非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口；3)腐蚀第一隔离介质层，直至将第一封口打开，形成具有一宽度的开口；4)第二次沉积第二隔离介质层，第二隔离介质层在非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第二封口，第二封口的高度低于第一封口的高度；5)重复进行步骤3)和步骤4)，以将最终的封口高度降低至目标高度。本发明仅需采用传统的隔离介质层沉积和腐蚀工艺技术便可有效控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。
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公开(公告)号：CN112017973B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910462224.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/52 , H01L31/0203 , H01L25/16 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，采用晶圆级扇出形封装方法制备硅光模块，其能够提高硅光模块的带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时采用该封装方法形成的硅光模块还具有用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合；即本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。
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公开(公告)号：CN115700928A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110800726.3
申请日：2021-07-15
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制造方法，所述光电探测器包括：波导，其设置于基板，由第一材料构成；以及光吸收层，其设置于所述波导的表面；所述光吸收层包括第一材料部和第二材料部，所述第一材料部中形成有凹陷部，所述第二材料部设置于所述凹陷部中，所述第一材料部由所述第一材料构成，所述第二材料部由第二材料构成，针对所述预定波长的光，所述第一材料的折射率小于所述第二材料的折射率。根据本申请，将光电探测器的光吸收层设置为由折射率不同的两种材料交替布置而形成的结构，由此，能够增大倏逝波在吸收层中的吸收率，从而兼顾高响应度和高带宽。
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