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公开(公告)号：CN217776816U
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202221643908.0
申请日：2022-06-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Inventor： 孟菊伟
IPC: B25B11/02
Abstract: 本实用新型涉及一种功率器件的盖板安装工装，属于功率器件封装技术领域。所述工装包括上模板和下模板，所述上模板顶部固连有上模柄，所述上模柄通过连接件固定在外部动力设备的上部，所述下模板上开设有若干沉头孔，通过沉头螺钉贯穿所述沉头孔以将所述下模板固定在所述外部动力设备的下部；所述上模板上开设有多个U型沉头孔，所述U型沉头孔内通过沉头螺钉固定连接有刚性压柱，所述刚性压柱远离所述U型沉头孔的一端螺纹连接有刚性调整柱，所述刚性调整柱下端固连有弹性压柱。本实用新型将半成品的功率器件转移到工装内，通过工装结构快速将盖板与功率器件进行拼装组合，可以有效的节省人工安装并可以确保一次性完成盖板的安装。
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公开(公告)号：CN217252390U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202220727896.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的多端子折弯工装，包括平板底座、限位槽和至少两套折弯装置，所述限位槽设置于平板底座上，使IGBT模块能够在平板底座上沿限位槽平移；所述折弯装置可拆卸地安装于平板底座上，不同折弯装置的折弯高度和折弯面积均不相同，在限位槽同侧的折弯装置是分别对功率端子和信号端子进行折弯并且折弯方向相反。本实用新型在一个工装上设置不同的折弯装置，使该折弯工装能够一次性解决同一个模块上，不同折弯高度、不同折弯面积、不同折弯方向的多端子折弯的难题，折弯过程无需更换工装，并且装配及操作简单，节省制造成本和时间成本。
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公开(公告)号：CN213998341U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022348605.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K37/04 , B23K101/36
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的焊接限位工装，属于IGBT模块真空焊接技术领域，包括焊接托盘、粗限位隔板和精确限位框；焊接托盘的顶面上设有容纳基板的凹槽；粗限位隔板可拆卸地安装于所述基板的顶面，粗限位隔板上贯通地开设有定位框，定位框的两个相对侧边面上对称地设有若干凸台，定位框被所述凸台分割成多个用于限位衬板的子定位框；精确限位框可拆卸地安装于所述焊接托盘的顶面，精确限位框上设有若干定位针，定位针的一端穿过相邻所述子定位框所容纳衬板之间的间隙触压在所述基板的顶面；定位针的直径大于所述凸台的宽度。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定，装配过程简单、易操作，且便于拆卸工装。
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公开(公告)号：CN213998146U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022365101.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K3/08
Abstract: 本实用新型公开了一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装，包括基板、限位框和限位隔片，所述基板上设有若干定位销，所述限位框包括C形的第一限位框和第二限位框，所述第一限位框和第二限位框上设有与定位销相对应的定位孔，所述限位隔片卡合于第一限位框和第二限位框的两个端部之间。本实用新型解决了现有技术中限位金属框与基板不匹配、限位效果差、焊接质量低的问题。
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公开(公告)号：CN213459728U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022506549.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型公开了一种用于高压焊接式IGBT器件内部衬板的绝缘结构，包括衬板(1)，所述衬板(1)上连有芯片(3)，所述芯片(3)上键合有键合线(2)，所述衬板(1)上分别预留有集电极键合区域(5)、发射极键合区域(6)、门级键合区域(7)和集电极信号端键合区域(8)，所述芯片(3)和键合线(2)外部包裹有塑封材料结构(9)，所述衬板(1)的背面设置有金属面(4)，所述金属面(4)裸漏在所述塑封材料结构(9)的外侧。本实用新型提供的用于高压大功率焊接式IGBT器件内部衬板，能够避免芯片打火现象、提高键合线的可靠性和有效隔绝外界水汽。
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公开(公告)号：CN213459704U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022409327.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，包括铜基板(1)，所述铜基板(1)为预折弯结构且上面为凹面，所述铜基板(1)上面沿着长度方向开设有两条平行设置的横向开槽(5)，两条所述横向开槽(5)之间开设有若干条平行设置的竖向开槽(4)，所述横向开槽(5)和竖向开槽(4)之间形成若干个凸台(3)，所述凸台(3)面积与衬板焊接面面积相当，所述铜基板(1)长度方向边缘处开设有固定孔位(2)。本实用新型提供的一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，能够释放部分焊接应力降低焊接翘曲度以及降低器件安装难度，提高器件散热面与冷却板的契合度。
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公开(公告)号：CN212851215U
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202021481608.8
申请日：2020-07-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本实用新型公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本实用新型简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN219937044U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202320685253.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本实用新型增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
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公开(公告)号：CN218974503U
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202222876499.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种便于更换的IGBT模块测试装置，属于IGBT模块检测技术领域，包括基座，所述基座上设有夹持模组、定位板和探针板；所述定位板上开设有多个第一通孔和第二通孔，所述基座上固定连接有多个导柱，所述定位板外边缘处布设有与导柱数量一致的第三通孔，所述导柱通过第三通孔与定位板连接；所述探针板上设有多个探针，所述IGBT模块上的端子穿过第一通孔和第二通孔与探针接触进行电性能测试；所述探针底部连接有导线，所述探针板上的探针穿过基座通过导线电性连接于基座的插头；所述插头与外置电源连接；当遇到不同种类的IGBT模块进行电性能测试时，只需更换与待测IGBT模块型号相同的定位板和探针板即可，进一步增强了测试装置的适用性能。
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公开(公告)号：CN217775214U
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202221716571.1
申请日：2022-07-06
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Inventor： 孟菊伟
Abstract: 本实用新型公开了一种功率器件封装技术领域的一种基板成型的工装结构，旨在解决现有技术中基板焊接过程的翘曲问题。其包括，包括上模和下模；所述上模的上型腔和下模的下型腔均为中心平直四周上翘的曲面形；工作时，所述上模下压与下模配合，将置于所述下模的基板压制成中心平直，四周上翘的曲面形；本实用新型适用于功率器件封装，能够先使得基板反向翘曲，避免后期焊接过程发生翘曲情况。
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