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公开(公告)号：CN113257971B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110730697.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 南昌凯捷半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种红光mini‑LED芯片及制作方法。一种红光mini‑LED芯片，包括有ITO层，一种红光mini‑LED芯片的制作方法，通过衬底置换将吸光的GaAs生长衬底换成蓝宝石衬底，从而可以实现从衬底一侧出光，制作出红光mini‑LED芯片。将P电极和N电极同时设立在背离衬底一侧，不仅可以增大出光面积，而且极大的方便了下游封装厂商的使用，封装时只需将电极一侧固定在支架上即可，不需要进行焊线。
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公开(公告)号：CN113519060A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201980093620.5
申请日：2019-12-04
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 崔主赞
IPC: H01L27/15 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L33/42 , H01L33/62
Abstract: 本发明的实施例的显示装置包括：基板；电源配线和接地配线，在所述基板上以彼此隔开的方式形成；驱动TFT，形成在所述基板上，其源极端子与所述接地配线电连接；至少一个绝缘层，形成在所述基板上；以及一对组装电极，在所述至少一个绝缘层中的任意一个绝缘层和所述基板之间以彼此隔开的方式形成，随着向所述一对组装电极中的任意一个组装电极施加电压，所述一对组装电极产生电场。
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公开(公告)号：CN111200044B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010032945.7
申请日：2020-01-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种薄膜型白光LED芯片，其包括依次设置的透明衬底、第一透明电极、发光结构、第二透明电极及第一荧光粉层，其中，发光结构包括发光层及设于其两侧的电子注入层及空穴注入层，且电子注入层与第二透明电极的总厚度(倒置结构)或空穴注入层与第二透明电极的总厚度(正置结构)小于发光层的一个发光波长长度。通过第二透明电极的设置使发光层所发出的光子有机会渗透到第一荧光粉层，而电子注入层与第二透明电极的总厚度(倒置结构)或空穴注入层与第二透明电极的总厚度(正置结构)小于发光层的一个发光波长长度，则使得因全反射所产生的隐失波能够渗透至第一荧光粉层而被第一荧光粉层所吸收而发光，从而使得LED芯片的整体外量子效率提高。
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公开(公告)号：CN107785467B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710590005.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。
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公开(公告)号：CN110931617B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201911310362.X
申请日：2019-12-18
Applicant: 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
Abstract: 本发明涉及一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法。在GaN基LED的P‑GaN外延膜上设置一层ITO透明导电膜作为复合电极中的透明电极；在透明电极上再设置一层Ti金属缓冲层，在Ti缓冲层上设置Al金属电极层。通过对透明导电膜的工艺参数和厚度的优化，获得导电性和透光性良好的薄膜；复合P电极的金属电极不选用常规的Ni‑Au这样的贵金属和稀有金属，而选择N电极常用的Ti‑Al，通过工艺参数的优化调整，达到和Ni‑Au一样的性能。在保证器件光电学特性稳定的基础上，整体工艺难度降低，材料更加环保，性价比更高，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111540818B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010227109.4
申请日：2020-03-27
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一透明导电层、第二透明导电层、透明介质层、反射电极、连接电极和DBR层；第一透明导电层和第二透明导电层的材料均为ITO，第二透明导电层中的氧含量小于第一透明导电层中的氧含量；N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有凹槽和隔离槽；第一透明导电层铺设在P型半导体层上，第二透明导电层和透明介质层设置在第一透明导电层上；反射电极铺设在第二透明导电层和透明介质层上，连接电极设置在N型半导体层上；DBR层铺设在凹槽和隔离槽的各个表面上，可提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN112889162A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980070487.1
申请日：2019-11-23
Applicant: OTI照明公司
Abstract: 一种电致发光装置，其包括：(1)第一区域、第二区域以及布置在所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域；(2)安置在所述第二区域中的导电涂层；以及(3)安置在所述第一区域中的成核抑制性涂层，所述成核抑制性涂层延伸以覆盖所述中间区域的至少一部分，其中所述中间区域中的所述成核抑制性涂层的厚度小于所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的厚度，并且其中所述第一区域中的所述成核抑制性涂层的表面基本上不含所述导电涂层。
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公开(公告)号：CN112768581A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110162105.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 深圳市奥视微科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明涉及一种LED发光结构及其制备方法，包括：提供支撑衬底，于所述支撑衬底的表面形成发光单元；于所述发光单元远离所述支撑衬底的表面形成第一电极；提供键合衬底，将所得结构经由键合层键合于所述键合衬底的表面；其中，所述第一电极与所述键合层相接触；去除所述支撑衬底，并于发光单元远离所述第一电极的表面形成透明导电层；于所述透明导电层远离所述发光单元的表面形成第二电极。采用上述LED发光结构的制备方法，实现了双面布线，避免了内部光线的全反射，从而减少了光学散射和串扰，提升显示效果。通过设置第二电极，增强透明导电层的导电性。
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公开(公告)号：CN112655098A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058255.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 科莱约纳诺公司
IPC: H01L33/32 , H01L33/10 , H01L33/14 , H01L33/16 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01S5/343 , H01S5/183 , H01S5/042 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，例如，用于发射或吸收优选地在深紫外线(DUV)范围内的光的半导体器件。所述器件例如谐振腔发光二极管(RCLED)或激光二极管由以下部件形成：衬底层(302)，其优选地包括分布式布拉格反射器(DBR)；石墨层(304)；以及在使用或不使用掩模层(306)的情况下在石墨层上生长的至少一个半导体结构(310)，优选线或角锥。所述半导体结构由至少一个III‑V族半导体n型掺杂区(316)和六方氮化硼(hBN)区(312)构成，所述六方氮化硼区优选地为p型掺杂hBN。
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公开(公告)号：CN112331739A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910718853.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L33/42
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，更具体地，涉及一种低功函导电复合电极、其制备和应用。将含有氨基的聚合物与金属离子和金属纳米线先后发生配位共混，获得本发明低功函导电透明复合电极。本发明基于常见的可降低电极功函数的聚合物材料，引入金属离子以及金属纳米线，聚合物分子中的氨基同时与金属离子和金属纳米线发生配位作用，得到所述的低功函导电透明复合电极。所得到的复合电极，粗糙度低，功函数低于4.35eV，方块电阻在30欧姆时电极的透光率高于85％，在不增加阴极界面修饰材料时，也能够很好的作为阴极适用于不同光电器件中。
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