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公开(公告)号：CN118136759A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410539297.2
申请日：2024-04-30
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体是涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。该反极性LED芯片从下而上依次包括背面电极、Si衬底、第二键合金属层、第一键合金属层、抛光层、Ag镜面结构、TiO2/SiO2堆叠结构、厚SiO2介质膜层、透明导电膜、P型窗口层、P型半导体层、MQW发光层、N型半导体层、焊线电极；透明导电膜非整面排布，并按区域独立的方式规则排布在P型窗口层远离P型半导体层的一侧；Ag镜面结构通过对位介质膜孔与透明导电膜接触，并形成电学通道。本发明通过从芯片材料及结构上进行优化，得到的LED性能稳定，发光效率高，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117497654B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311841403.4
申请日：2023-12-29
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种镶嵌式接触的Ag反射镜红光芯片及其制作方法，该Ag反射镜红光芯片自下而上依次包括P电极、转移基板、第二键合金属层、第一键合金属层、第二阻挡金属层、Ag反射镜、第一阻挡金属层、欧姆接触金属层、介质膜层、GaP接触图形、有源层、GaAs欧姆接触层、N电极、钝化层；所述欧姆接触金属层镶嵌在所述介质膜层内，并通过第一阻挡金属层与所述Ag反射镜隔离。本发明通过将介质膜层与Ag反射镜工艺相结合，可大幅提升反射效果；将欧姆接触金属层用介质膜层包覆，同时结合阻挡金属层，可与Ag反射镜完全隔离，可进一步确保Ag反射镜的反射效果，大幅度提高LED芯片出光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN117913195A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410308833.8
申请日：2024-03-19
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。该芯片包括键合设置于Si衬底上的介质膜层和反极性红光外延片；所述反极性红光外延片包括从下至上依次设置的GaP窗口层、P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述N型半导体层包括从下至上依次设置的N型限制层、N型电流扩展层和N型粗化层；所述反极性红光外延片四周侧壁从上至下依次设置有第一台阶状蚀刻道和第二台阶状蚀刻道；所述第一台阶状蚀刻道和所述第二台阶状蚀刻道的表面均覆盖设置有DBR钝化层。本发明的提供的LED芯片，芯粒四周发光弱，热量少，减少碗杯内壁涂层变异及反光效果劣化，可保证封装体性能稳定。
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公开(公告)号：CN117691464A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410132632.7
申请日：2024-01-31
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体涉及一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P‑DBR、P‑限制层、多量子阱有源层、N‑限制层、氧化层、氧化孔、N‑DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；N焊线电极与反N接触电极相连，并与电源负极相连；P焊线电极与反P焊线电极分别与电源正极相连。本发明通过从芯片材料的结构进行优化，整体提升芯片器件的可靠性，同时还可节约后加工的成本及流程。
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公开(公告)号：CN117096236B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311344437.2
申请日：2023-10-18
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种共振腔结构红光LED芯片及其制作方法。本申请提供的具有共振腔结构的红光LED芯片结构，通过台阶状蚀刻槽将外延结构分隔成发光部和支撑部进行分区，并限定蚀刻槽的最大蚀刻深度达到N型限制层的下表面至GaAs衬底的上表面。能够防止发光部区域的电流流至支撑部，发光部的发光亮度更大。被蚀刻区域通过填充遮光BCB材料进行平坦化处理，可有效改善LED漏光、通体发光的问题，并可起到降低电容和提高LED器件散热的效果。
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公开(公告)号：CN116759513B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311013167.7
申请日：2023-08-14
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法，所述LED芯片自下而上依次是背电极、Si基片、第二键合金属层、第一键合金属层、镜面金属层、介质膜层、P型窗口层、P型过渡层、P型限制层、P面波导层、多量子阱、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型粗化层、N型欧姆接触层、钝化保护膜、焊线电极；相邻芯片的镜面金属层不直接连接，并在隔离道对应区域被第一键合金属层填充，形成键合金属层包覆镜面的结构。本发明通过优化金属反射镜的加工过程，形成键合金属层包覆镜面结构，避开隔离道制作和激光切割区域，使镜面金属层在后续加工过程中不受影响，保证LED芯片的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN117096236A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311344437.2
申请日：2023-10-18
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种共振腔结构红光LED芯片及其制作方法。本申请提供的具有共振腔结构的红光LED芯片结构，通过台阶状蚀刻槽将外延结构分隔成发光部和支撑部进行分区，并限定蚀刻槽的最大蚀刻深度达到N型限制层的下表面至GaAs衬底的上表面。能够防止发光部区域的电流流至支撑部，发光部的发光亮度更大。被蚀刻区域通过填充遮光BCB材料进行平坦化处理，可有效改善LED漏光、通体发光的问题，并可起到降低电容和提高LED器件散热的效果。
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公开(公告)号：CN116564947A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310825777.0
申请日：2023-07-07
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50 , G09F9/33
摘要： 本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种纵列全彩显示Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片从下至上依次包括红光芯片层、滤光层、绿光芯片层、蓝宝石衬底、蓝光芯片层；红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层自下而上纵向堆叠组装。本发明通过将红、绿、蓝光三种外延结构纵向堆叠组装，在红光外延层和绿光外延层之间设置有滤光层，滤光层可以反射蓝绿光，红光可以透射过去，使得三种外延结构可以独立发光，形成了纵向排列的全彩显示Micro‑LED；该制作方法简单，在降低了LED器件的制作和转移过程中的工艺难度的同时提高了LED器件的光电性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN116435418A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310691542.7
申请日：2023-06-13
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种590nm反极性LED外延片及其制备方法，该LED外延片从下往上依次生长，从GaAs衬底开始依次为第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层、非掺杂阻隔层、N型GaAs缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光层、P侧空间层、P型限制层、P型窗口层；第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层的材料都是GaAs，且均为非掺杂。本发明通过对衬底表面进行氧化腐蚀处理，去除衬底表面的氧化层，避免了现有技术中氧化层去除不干净带来的晶格缺陷，得到低缺陷密度的590nm反极性LED外延片，稳定性好、良率高。
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公开(公告)号：CN116364816A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310626186.0
申请日：2023-05-31
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法，该制作方法包括以下步骤：在GaAs基板上生长外延片；在外延片上沉积介质层并制作出接触孔；沉积第一键合层金属；制作高导热绝缘层金属基板；在高导热绝缘层金属基板上沉积第二键合层金属；圆晶键合并去除GaAs基板；进行芯片前段工艺和后段工艺，完成AlGaInP LED芯片制作。本发明通过在金属基板上，添加绝缘层，并且在绝缘层中添加导热材料，形成高导热绝缘层金属基板，实现芯片端热电分离，不仅可以减少封装成本、提升出光效率，还能提高大功率AlGaInP LED的可靠性能，成本低廉，易于加工。
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