本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种590nm反极性LED外延片及其制备方法，该LED外延片从下往上依次生长，从GaAs衬底开始依次为第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层、非掺杂阻隔层、N型GaAs缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光层、P侧空间层、P型限制层、P型窗口层；第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层的材料都是GaAs，且均为非掺杂。本发明通过对衬底表面进行氧化腐蚀处理，去除衬底表面的氧化层，避免了现有技术中氧化层去除不干净带来的晶格缺陷，得到低缺陷密度的590nm反极性LED外延片，稳定性好、良率高。