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公开(公告)号：CN115602769A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211616048.6
申请日：2022-12-16
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司(CN)
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有滤光结构的反极性红外LED外延片及其制备方法，该LED外延片从N型GaAs衬底开始由下往上依次生长N型GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电极保护层、N型电流扩展层、N面滤光层、N型DBR反射层、N型限制层、N面波导层、多量子阱有源层、P面波导层、P型限制层、P型DBR反射层、P面滤光层、P型电流扩展层、P型窗口层。本发明通过在常规940nm反极性红外LED双侧的电流扩展层和限制层之间引入DBR反射层和滤光层结构，有效避免可见光的溢出，同时提高LED器件的发光效率，可应用于无红曝的安防监控摄像头等领域。
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公开(公告)号：CN115394897A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211330515.9
申请日：2022-10-28
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种红光Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极；第一钝化层和第二钝化层将整个外延层芯片包裹；第一钝化层由Fe2O3@SiO2复合材料溅射而成。本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro‑LED芯片，该制备方法工艺简单，工作效率及成品率高，得到的红光Micro‑LED芯片产品质量稳定、可靠，可满足大规模商业化应用。
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公开(公告)号：CN113257971A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110730697.8
申请日：2021-06-30
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种红光mini‑LED芯片及制作方法。一种红光mini‑LED芯片，包括有ITO层，一种红光mini‑LED芯片的制作方法，通过衬底置换将吸光的GaAs生长衬底换成蓝宝石衬底，从而可以实现从衬底一侧出光，制作出红光mini‑LED芯片。将P电极和N电极同时设立在背离衬底一侧，不仅可以增大出光面积，而且极大的方便了下游封装厂商的使用，封装时只需将电极一侧固定在支架上即可，不需要进行焊线。
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公开(公告)号：CN112736644B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110337080.X
申请日：2021-03-30
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于车载雷达的高功率VCSEL及其制备方法，本发明的高功率VCSEL包括沿生长方向依次生长的GaAs衬底、GaAs缓冲层、N型DBR层、五层有源层、氧化层、P型DBR层和P型GaAs层；所述VCSEL总腔长为5个波长的整数倍。本发明使用隧穿结实现五个有源层串联，并且通过设计特定的腔长，提高了单位面积内的功率，实现更高功率；同时通过设计不同的势垒高度，解决载流子移动距离，提高辐射复合几率，增加粒子数反转，提高输出功率；通过生长厚度的设计，提高增益，改善驻波场，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN112736644A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110337080.X
申请日：2021-03-30
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于车载雷达的高功率VCSEL及其制备方法，本发明的高功率VCSEL包括沿生长方向依次生长的GaAs衬底、GaAs缓冲层、N型DBR层、五层有源层、氧化层、P型DBR层和P型GaAs层；所述VCSEL总腔长为5个腔长的整数倍。本发明使用隧穿结实现五个有源层串联，并且通过设计特定的腔长，提高了单位面积内的功率，实现更高功率；同时通过设计不同的势垒高度，解决载流子移动距离，提高辐射复合几率，增加粒子数反转，提高输出功率；通过生长厚度的设计，提高增益，改善驻波场，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN115249757A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202211140048.3
申请日：2022-09-20
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种无台阶mini LED芯片及其制作方法，该芯片包括蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、钝化层、聚酰亚胺层、P电极和N电极；聚酰亚胺层位于P电极与P型半导体层之间，与钝化层表面平齐并填充整个台阶。本发明通过利用聚酰亚胺将台阶处填平，使得芯片表面变得平坦，得到一种无台阶mini LED芯片，可以有效解决芯片在焊接时出现的仰翘问题和推力差异问题，可靠性好。
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公开(公告)号：CN114639763B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210511296.8
申请日：2022-05-12
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有嵌入式电极的反极性红外LED及其制备方法，包括具有基板键合层和导电层的基板，从所述基板键合层的正面往上依次为：嵌入式键合金属层、金属反射层、绝缘介质层、P型欧姆接触层、过渡层、P型电流扩展层、P型限制层、P面波导层、多量子阱有源层、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型电极保护层、N型欧姆接触层和N型电极，所述基板的导电层为P型电极。本发明通过采用嵌入式键合金属层可与基板键合牢固，提升外延层材料与P面金属层之间的粘附性，同时还具改善电流扩展和提升光输出功率的作用。
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公开(公告)号：CN114759136A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210663704.1
申请日：2022-06-14
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种mini LED芯片及其制作方法，该芯片包括蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、P接触电极、N接触电极、石墨导热层、钝化层、P电极和N电极；石墨导热层由氧化钛和石墨组成；钝化层与石墨导热层相对应的表面设计贯穿钝化层的散热孔，散热孔用石墨回填且与石墨导热层相接触。本发明通过在mini LED芯片中加入石墨导热层，同时在钝化层表面设计散热孔并用石墨回填，利用石墨超强的导热能力，可以有效将mini LED芯片工作时产生的热量传导出去，降低芯片自身的温度，提高芯片光电性能的稳定性，进而有效延长芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114639763A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210511296.8
申请日：2022-05-12
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有嵌入式电极的反极性红外LED及其制备方法，包括具有基板键合层和导电层的基板，从所述基板键合层的正面往上依次为：嵌入式键合金属层、金属反射层、绝缘介质层、P型欧姆接触层、过渡层、P型电流扩展层、P型限制层、P面波导层、多量子阱有源层、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型电极保护层、N型欧姆接触层和N型电极，所述基板的导电层为P型电极。本发明通过采用嵌入式键合金属层可与基板键合牢固，提升外延层材料与P面金属层之间的粘附性，同时还具改善电流扩展和提升光输出功率的作用。
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公开(公告)号：CN113257971B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110730697.8
申请日：2021-06-30
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种红光mini‑LED芯片及制作方法。一种红光mini‑LED芯片，包括有ITO层，一种红光mini‑LED芯片的制作方法，通过衬底置换将吸光的GaAs生长衬底换成蓝宝石衬底，从而可以实现从衬底一侧出光，制作出红光mini‑LED芯片。将P电极和N电极同时设立在背离衬底一侧，不仅可以增大出光面积，而且极大的方便了下游封装厂商的使用，封装时只需将电极一侧固定在支架上即可，不需要进行焊线。
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