本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。该芯片包括键合设置于Si衬底上的介质膜层和反极性红光外延片；所述反极性红光外延片包括从下至上依次设置的GaP窗口层、P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述N型半导体层包括从下至上依次设置的N型限制层、N型电流扩展层和N型粗化层；所述反极性红光外延片四周侧壁从上至下依次设置有第一台阶状蚀刻道和第二台阶状蚀刻道；所述第一台阶状蚀刻道和所述第二台阶状蚀刻道的表面均覆盖设置有DBR钝化层。本发明的提供的LED芯片，芯粒四周发光弱，热量少，减少碗杯内壁涂层变异及反光效果劣化，可保证封装体性能稳定。