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公开(公告)号：CN119230671A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410856646.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件，包括外延结构、第一接触电极以及第二接触电极。外延结构包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构包含第一半导体接触层。第二半导体结构包含第二半导体接触层。活性区介于第一半导体结构与第二半导体结构之间。第一接触电极位于第二半导体接触层上且直接接触第一半导体接触层。第二接触电极位于第二半导体接触层上且直接接触第二半导体接触层。第一半导体接触层的导电型态为n型且包含第一III‑V族半导体材料。第二半导体接触层的导电型态为p型且包含第二III‑V族半导体材料，且第二III‑V族半导体材料为含铟的磷化物。
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公开(公告)号：CN107785467A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710590005.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。
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公开(公告)号：CN107134522A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710093378.4
申请日：2017-02-21
Applicant: 晶元光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/60
Abstract: 本发明公开一种发光装置，包含一发光主体、一透明封装结构、一反射结构与一光学转换结构。发光主体包含一出光面、一位于出光面相对侧的底面、一侧表面、一第一电极、以及一第二电极，其中第一电极与第二电极位于底面上。透明封装结构覆盖出光面，以及侧表面。反射结构具有一环绕透明封装结构的第一反射结构、以及与第一反射结构直接接触的第二反射结构。光学转换结构形成于反射结构与透明封装结构之上。
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公开(公告)号：CN106531870A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610650286.7
申请日：2016-08-10
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L33/505
Abstract: 本发明公开一种发光装置及其制作方法，该发光装置包含一发光元件以及一波长转换层，发光元件包含一顶面、一底面、多个侧面及一第一电性接点。顶面及底面通过多个侧面相互连结，二者间的距离设为第一高度(h1)。第一电性接点形成在底面上，波长转换层包含第一区域(A1)及第二区域(A2)，第一区域位于发光元件的顶面上方，第二区域位于发光元件的侧面外围且围绕第一区域。第一区域具有第二高度(h2)，第二区域具有第三高度(h3)及第二宽度(w2)。其中，第二高度(h2)大于该第二宽度(w2)，第一高度(h1)与第二高度(h2)之合与第三高度(h3)的差值小于15微米。
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公开(公告)号：CN119092628A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410713855.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/62 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种半导体元件排列结构及其制作方法，其中半导体元件排列结构包含一基板、一粘着结构、及一第一半导体元件。基板具有一上表面；粘着结构位于上表面上，并具有一第一凹陷区；第一半导体元件包含一下表面朝向粘着层以及一导电凸块位于下表面之下与第一凹陷区中；导电凸块包含一第一部分与一第二部分；其中，下表面未接触粘着结构；其中，第一部分直接接触第一凹陷区，第二部分未直接接触第一凹陷区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785467B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710590005.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。
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公开(公告)号：CN105742458B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201510988691.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光装置，包含一发光二极管、一金属凸块、及一反射绝缘层。发光二极管包含一活性层、一绝缘层，形成在活性层上且具有一侧面、以及一电极垫，电连接活性层。金属凸块形成在电极垫。反射绝缘层覆盖该侧面。
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公开(公告)号：CN111883635A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010708374.4
申请日：2015-12-30
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光装置以及其制造方法。该发光装置包含一发光元件、一波长转换层以及一可透光元件。发光元件包含一顶面、一底面、多个侧面及一第一电性接点。其中，顶面及底面通过多个侧面相互连结，第一电性接点形成在底面上。波长转换层包含一透明粘合剂及多颗波长转换粒子且至少覆盖发光元件的顶面。可透光元件包含一出光面且位于波长转换层之上。波长转换粒子的D50不大于10微米，其中波长转换粒子的D50的定义为波长转换粒子的累积颗粒分布达到50％时所对应的粒径。此外，波长转换层的厚度(T)与波长转换粒子的D50的比值介于6至20。
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公开(公告)号：CN105742458A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510988691.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 晶元光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/18 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/508
Abstract: 本发明公开一种发光装置，包含一发光二极管、一金属凸块、及一反射绝缘层。发光二极管包含一活性层、一绝缘层，形成在活性层上且具有一侧面、以及一电极垫，电连接活性层。金属凸块形成在电极垫。反射绝缘层覆盖该侧面。
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公开(公告)号：CN118712183A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410844085.5
申请日：2019-01-23
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/60 , H01L33/50
Abstract: 本发明公开一种发光装置及其制造方法，该发光装置包括第一发光元件、第二发光元件、反射围栏及显色层。第一发光元件发出一波峰不大于500nm的第一光线。第二发光元件发出一波峰不大于500nm的第二光线。反射围栏位于第一发光元件与第二发光元件之间，并环绕第一发光元件与第二发光元件。显色层包括第一区域及第二区域。第一区域覆盖第一发光元件并允许第一光线直接通过，且第二区域覆盖第二发光元件并将第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。
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