公开(公告)号：CN107785467B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201710590005.8

申请日：2017-07-19

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 萧长泰 ,  马逸伦 ,  陈浩宇 ,  胡淑芬 ,  刘如熹 ,  王志铭 ,  陈群元 ,  任益华 ,  王建鑫 ,  林永翔

IPC: H01L33/42

Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。

公开(公告)号：CN107785467A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710590005.8

申请日：2017-07-19

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 萧长泰 ,  马逸伦 ,  陈浩宇 ,  胡淑芬 ,  刘如熹 ,  王志铭 ,  陈群元 ,  任益华 ,  王建鑫 ,  林永翔

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42

Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。

公开(公告)号：CN110797443B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201910706098.5

申请日：2019-08-01

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 陈昭兴 ,  吕政霖 ,  马逸伦 ,  许启祥 ,  洪孟祥 ,  陈之皓 ,  王心盈 ,  林羿宏 ,  洪国庆

IPC: H10H20/819 ,  H10H20/82 ,  H10H20/831 ,  H10H20/84 ,  H10H20/841

Abstract: 本发明公开一发光元件，包含一基板包含一上表面，一第一侧表面及一第二侧表面，其中基板的第一侧表面及第二侧表面分别连接至基板的上表面的两相对侧；一半导体叠层位于基板的上表面上，半导体叠层包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一电极垫邻近发光元件的一第一边；以及一第二电极垫邻近发光元件的一第二边，其中自发光元件的一上视图观之，第一边及第二边位于发光元件的不同侧或相对侧，靠近第一边的第一半导体层包含一第一侧壁与基板的第一侧表面直接连接，且靠近第二边的第一半导体层包含一第二侧壁与基板的第二侧表面相隔一距离。

公开(公告)号：CN110797443A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910706098.5

申请日：2019-08-01

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 陈昭兴 ,  吕政霖 ,  马逸伦 ,  许启祥 ,  洪孟祥 ,  陈之皓 ,  王心盈 ,  林羿宏 ,  洪国庆

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开一发光元件，包含一基板包含一上表面，一第一侧表面及一第二侧表面，其中基板的第一侧表面及第二侧表面分别连接至基板的上表面的两相对侧；一半导体叠层位于基板的上表面上，半导体叠层包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一电极垫邻近发光元件的一第一边；以及一第二电极垫邻近发光元件的一第二边，其中自发光元件的一上视图观之，第一边及第二边位于发光元件的不同侧或相对侧，靠近第一边的第一半导体层包含一第一侧壁与基板的第一侧表面直接连接，且靠近第二边的第一半导体层包含一第二侧壁与基板的第二侧表面相隔一距离。