公开(公告)号：CN107785467B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201710590005.8

申请日：2017-07-19

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 萧长泰 ,  马逸伦 ,  陈浩宇 ,  胡淑芬 ,  刘如熹 ,  王志铭 ,  陈群元 ,  任益华 ,  王建鑫 ,  林永翔

IPC: H01L33/42

Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。

公开(公告)号：CN107785467A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710590005.8

申请日：2017-07-19

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 萧长泰 ,  马逸伦 ,  陈浩宇 ,  胡淑芬 ,  刘如熹 ,  王志铭 ,  陈群元 ,  任益华 ,  王建鑫 ,  林永翔

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42

Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。