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公开(公告)号：CN119542309A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411069387.6
申请日：2024-08-06
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包含半导体叠层包含第一型半导体层及第二型半导体层；保护层位于半导体叠层上，具有n个第一开孔与m个第二开孔；第一电极，位于n个第一开孔上，具有第一外表面并与第一型半导体层电连接；第二电极，位于m个第二开孔上，具有第二外表面并与第二型半导体层电连接；第一导电凸块，位于第一电极上，具有外凸的第一顶部；以及第二导电凸块，位于第二电极上，具有外凸的第二顶部；自剖视图观之，第一导电凸块与第一电极的接触面具有第一水平宽度，第二导电凸块与第二电极的接触面具有第二水平宽度，且第一水平宽度与第二水平宽度的比值介于0.8～1.2之间；第一顶部与第二顶部具有实质相同的水平高度。
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公开(公告)号：CN114464713A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210049213.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含基板；缓冲层位于基板上；第一半导体层位于缓冲层上；半导体柱位于第一半导体层上，半导体柱包含第二半导体层及活性层；第一接触层位于第一半导体层上，包含第一接触部及第一延伸部环绕半导体柱；第一电极接触层接触第一接触层；第二接触层位于第二半导体层上；第二电极接触层接触第二接触层，其中在发光元件的上视图上，第二电极接触层环绕第一电极接触层的多个侧壁；第一绝缘层位于第一接触层及第二接触层上，包含第一绝缘层第一开口位于第一接触部上及第一绝缘层第二开口位于第二接触层上；第一电极覆盖第一绝缘层第一开口且电连接第一半导体层；以及第二电极覆盖第一绝缘层第二开口且电连接第二半导体层。
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公开(公告)号：CN115985874A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211261590.4
申请日：2022-10-14
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/075
Abstract: 本发明提供一种半导体元件排列结构。半导体元件排列结构包括承载基板、分别设置于承载基板上且相互分离的第一粘着层与第二粘着层、以及分别设置于第一粘着层与第二粘着层上的第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件具有位于第一半导体元件同一侧的第一电极与第二电极，第二半导体元件具有位于第二半导体元件同一侧的第三电极与第四电极。第一粘着层直接接触第一电极与第二电极，第二粘着层直接接触第三电极与第四电极。第一粘着层在第一电极与第二电极之间具有第一厚度以及非位于第一电极与第二电极之间具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN119092628A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410713855.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/62 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种半导体元件排列结构及其制作方法，其中半导体元件排列结构包含一基板、一粘着结构、及一第一半导体元件。基板具有一上表面；粘着结构位于上表面上，并具有一第一凹陷区；第一半导体元件包含一下表面朝向粘着层以及一导电凸块位于下表面之下与第一凹陷区中；导电凸块包含一第一部分与一第二部分；其中，下表面未接触粘着结构；其中，第一部分直接接触第一凹陷区，第二部分未直接接触第一凹陷区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785467B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710590005.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。
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公开(公告)号：CN109256446A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768343.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一第一半导体层；多个半导体柱彼此分离且位于第一半导体层上，多个半导体柱各包含一第二半导体层及一活性层；一第一电极覆盖多个半导体柱的一部分；以及一第二电极覆盖多个半导体柱的另一部分，其中位于第一电极的一覆盖区域下方的多个半导体柱包含一第一间距以彼此分离，位于第一电极的覆盖区域以外的多个半导体柱包含一第二间距以彼此分离，及第一间距大于第二间距。
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公开(公告)号：CN119092500A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410722993.7
申请日：2024-06-05
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种半导体元件排列结构及其制作方法，半导体元件排列结构包含一基板及多个半导体元件。基板具有一上表面；多个半导体元件彼此分离且交错地配置于上表面上，包含一第一半导体元件与一第二半导体元件；其中，第一半导体元件具有一第一内角，第二半导体元件具有一第二内角，且第一半导体元件与第二半导体元件具有一最短距离位在第一内角与第二内角之间；其中，最短距离大于3μm小于25μm。
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公开(公告)号：CN109256446B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201810768343.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一第一半导体层；多个半导体柱彼此分离且位于第一半导体层上，多个半导体柱各包含一第二半导体层及一活性层；一第一电极覆盖多个半导体柱的一部分；以及一第二电极覆盖多个半导体柱的另一部分，其中位于第一电极的一覆盖区域下方的多个半导体柱包含一第一间距以彼此分离，位于第一电极的覆盖区域以外的多个半导体柱包含一第二间距以彼此分离，及第一间距大于第二间距。
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公开(公告)号：CN107785467A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710590005.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一可发出UV光的活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一层位于第二半导体层之上，第一层包含金属氧化物；以及一第二层位于第一层之上，第二层包含石墨烯，其中第一层是整面覆盖于第二半导体层之上，第一层包含一厚度小于10纳米。
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