公开(公告)号：CN117832270A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311595219.6

申请日：2023-11-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 邱乐山 ,  白云 ,  刘新宇 ,  汤益丹 ,  郝继龙 ,  杨成樾 ,  田晓丽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

摘要： 本申请提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；位于衬底底部的漏极；位于衬底上外延层；位于外延层中、靠近外延层上表面且呈轴对称的两个P基区；位于P基区中的源区和短路区；位于外延层上的第一栅极绝缘介质层；位于第一栅极绝缘介质层上的第二栅极绝缘介质层；位于第二栅极绝缘介质层上的栅极；位于栅极、部分第一栅极绝缘介质层和部分第二栅极绝缘介质层上的层间介质；位于层间介质、短路区和部分源区上的源极；其中，第二栅极绝缘介质层包括低介电常数介质层和高介电常数介质层，高介电常数介质层设置于低介电常数介质层的外周侧并在外延层轴心线的延伸方向上与靠近外延层上表面的部分P基区相对设置。

公开(公告)号：CN117832199A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211184714.3

申请日：2022-09-27

申请人： JCET星科金朋韩国有限公司

发明人： 李承炫 ,  朴星焕 ,  徐仁镐 ,  李春

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48

摘要： 本申请提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，所述基板包括导电图案和导电图案上的导电条；基板上的至少一个电子元件；密封层，所述密封层形成在基板上并覆盖所述至少一个电子元件，至少部分地在基板上方延伸的屏蔽层，基板包括在导电条的至少一部分上方的开口，该部分暴露于密封层和基板，屏蔽层在开口内延伸且在开口内与导电条电连接，其中开口邻近密封层或通过密封层中的孔口延伸。

公开(公告)号：CN117790433A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311855260.2

申请日：2023-12-29

申请人： 日月新半导体(苏州)有限公司

发明人： 张一弛 ,  王政尧

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

摘要： 本申请提出一种电磁屏蔽封装结构和电磁屏蔽封装方法。所述电磁屏蔽封装结构包括：重布线层、导电框架以及电磁屏蔽层。所述导电框架和至少一个晶片设置在所述重布线层上。所述电磁屏蔽层设置于所述导电框架之上。所述导电框架连接于所述重布线层和所述电磁屏蔽层之间。所述重布线层、所述导电框架以及所述电磁屏蔽层围绕的空间形成腔体。所述至少一个晶片设置于所述腔体之中。

公开(公告)号：CN117790330A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310826135.2

申请日：2023-07-06

申请人： 星科金朋私人有限公司

发明人： 李贤规 ,  李知宣 ,  孟凡烈

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/552 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/31

摘要： 一种半导体器件包括衬底。半导体管芯设置在衬底上。密封剂沉积在衬底和半导体管芯上。第一沟槽在半导体管芯上的密封剂中形成。导电层在密封剂上形成并且形成到第一沟槽中。

公开(公告)号：CN117776657A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311817667.6

申请日：2023-12-26

申请人： 重庆云潼科技有限公司

发明人： 段金炽 ,  廖光朝

IPC分类号： C04B28/26 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/552 ,  C04B41/87

摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种高功率器件封装材料制备方法及应用，通过利用具有顺磁材料(四氧化三铁、钴粉、镍粉)的封装材料，优化场强和耐压能力、提高散热能力。同时设置导电层(导电石墨纸)吸收电磁波，降低了器件的杂散电感、提高了器件的可靠性。此外，在灌封封装材料前，进行磁溅射镀上一成陶瓷层，提升了晶格排列的有序性，提高功率器件工作时的电阻率，进一步提高了器件的耐压性和可靠性。

公开(公告)号：CN117766519A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202211129541.5

申请日：2022-09-16

申请人： 华东科技股份有限公司

发明人： 于鸿祺 ,  林俊荣 ,  古瑞庭

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构及其制造方法，其中该芯片封装结构包含一芯片封装单元、至少一电磁干扰屏蔽层及至少一接地线，其中该至少一接地线是穿设地设在该至少一电磁干扰屏蔽层与该芯片封装单元的一第一绝缘层上，该至少一接地线具有一第一端及相对的一第二端，其中该至少一接地线的该第一端是与该至少一电磁干扰屏蔽层电性连接，其中该至少一接地线的该第二端是与该芯片封装单元的至少一第一电路层的至少一接地端电性连接，供用以避免静电的产生，有效地解决静电让半导体芯片所运作的电子系统无法正常运作的问题，以利于增加产品的市场竞争力。

公开(公告)号：CN117727741A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311671624.1

申请日：2023-12-07

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 张君直 ,  杨进 ,  刘梓枫 ,  朱健

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/52 ,  B81B7/00

摘要： 本发明公开了一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构及信号传输方法，包括基板三维互连结构、裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构；基板三维互连结构包括上基板和下基板，上基板设置有定位孔和互连基座，裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构均位于下基板上，其中电磁屏蔽互连结构包括垂直互连柱，在下基板上均匀排列构成连续区域，用于传输地信号和射频信号；各垂直互连柱分别插入相对应的互连基座，并使用导电胶固化实现互连；下基板上的垂直定位柱插入定位孔，实现上基板和下基板的定位。本发明所设计的结构有效解决了焊接过程中的短路问题，降低了工艺难度，提升了可靠性，适合工程上大范围推广。

公开(公告)号：CN117673029A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211058513.9

申请日：2022-08-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王晓东 ,  黄曦 ,  王西宁 ,  钱蔚宏

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/64

摘要： 一种接地屏蔽结构和半导体器件，接地屏蔽结构包括：衬底；屏蔽阵列，屏蔽阵列包括：多个呈阵列排布的屏蔽单元，屏蔽单元包括：有源区，有源区位于衬底内；多晶硅结构，多晶硅结构位于有源区上；第一导电结构，第一导电结构位于多晶硅结构上，第一导电结构和有源区和多晶硅结构均电连接。接地环，接地环包围屏蔽阵列。有源区和多晶硅结构的面积更小，能够有效提高衬底的电阻，以抑制衬底涡流。

公开(公告)号：CN117642856A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280048900.6

申请日：2022-06-10

申请人： 高通股份有限公司

发明人： A·巴特 ,  J·S·萨蒙

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L25/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L25/16 ,  H01L25/03 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供了一种封装，其包括基板、耦合到该基板的第一集成器件、耦合到该基板的第一块状器件、包封该第一集成器件和该第一块状器件的第二包封层。该第一块状器件包括第一电组件、第二电组件、至少部分地包封该第一电组件和该第二电组件的第一包封层、和耦合到该第一包封层的第一金属层。

公开(公告)号：CN117641868A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311062689.6

申请日：2023-08-23

申请人： 苹果公司

发明人： M·K·阿特鲁如 ,  C·P·谭

IPC分类号： H05K9/00 ,  H05K7/20 ,  H01L23/552 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本发明涉及“具有导热性的电磁干扰屏蔽物。”本公开涉及用于片上系统(SOC)设备的热管理和电磁干扰(EMI)屏蔽技术，以减小该SOC设备的SOC管芯与散热部件之间的热阻，同时仍然向该SOC设备的部件提供EMI屏蔽。例如，SOC设备可包括设置在该SOC管芯上的EMI网格。该EMI网格包括多个窗口，使得热界面材料(TIM)可延伸穿过该多个窗口并且物理地耦合散热部件(例如，散热器)和该SOC管芯两者，同时仍然向该SOC管芯提供EMI屏蔽。