发明公开
- 专利标题： 接地屏蔽结构和半导体器件
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申请号： CN202211058513.9申请日： 2022-08-31
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公开(公告)号： CN117673029A公开(公告)日： 2024-03-08
- 发明人: 王晓东 , 黄曦 , 王西宁 , 钱蔚宏
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 唐嘉
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528 ; H01L23/522 ; H01L23/552 ; H01L23/64
摘要：
一种接地屏蔽结构和半导体器件，接地屏蔽结构包括：衬底；屏蔽阵列，屏蔽阵列包括：多个呈阵列排布的屏蔽单元，屏蔽单元包括：有源区，有源区位于衬底内；多晶硅结构，多晶硅结构位于有源区上；第一导电结构，第一导电结构位于多晶硅结构上，第一导电结构和有源区和多晶硅结构均电连接。接地环，接地环包围屏蔽阵列。有源区和多晶硅结构的面积更小，能够有效提高衬底的电阻，以抑制衬底涡流。
IPC分类:
