多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1819077A

    公开(公告)日:2006-08-16

    申请号:CN200610013054.7

    申请日:2006-01-16

    申请人: 南开大学

    摘要: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜,Fe3O4晶粒粒径大小为13~19nm,厚度200~500nm,该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向,没有织构,室温磁电阻数值在10%~12%。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术,在氩气和氧气的混合气氛中,通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等,溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。

    AB复合多铁薄膜、高通量复合多铁薄膜材料及制备方法

    公开(公告)号:CN115910522A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211369793.5

    申请日:2022-11-03

    申请人: 湘潭大学

    IPC分类号: H01F10/20

    摘要: 本发明公开了一种AB复合多铁薄膜、高通量复合多铁薄膜材料及其制备方法,属于复合薄膜材料技术领域,高通量复合多铁薄膜材料包括衬底、底电极层和功能层;衬底为刚性基底SrTiO3衬底;底电极层设置在衬底上,底电极层为基于衬底生长的SrRuO3薄膜;功能层设置在底电极层上,功能层为基于底电极层生长的AB复合多铁薄膜。本发明结合双靶材法与自动掩膜版系统,制备了以Ga0.5Fe1.5O3和Fe3O4为基本单元的梯度复合多铁薄膜,通过改变Ga0.5Fe1.5O3和Fe3O4的激光发数比、循环周期等生长参数调控其磁电耦合效应,有望真正实现基于磁电复合薄膜的功能器件的集成化、微型化和多功能化。

    一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113990658B

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202111395507.8

    申请日:2021-11-23

    申请人: 苏州大学

    发明人: 汤如俊 彭峰

    摘要: 本发明公开了一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用,所述制备方法包括以下步骤:(1)将BaM粉末与有机载体混合、研磨,得到混合均匀的浆料;(2)将浆料通过丝网印刷法涂抹到Al2O3基片上,形成厚膜;(3)将上述厚膜与基片放置磁场中,进行加热充磁、排胶;(4)对充磁后的厚膜进行加压烧结,得到所述六角铁氧体厚膜。本发明通过优化有机载体、控制BaM粉末粒径、改进制膜工艺,制备得到高剩磁比、低孔隙率、高密度、高饱和磁化强度的六角铁氧体厚膜,可应用于自偏置环形器,且上述制备方法可实现低成本、大规模制备BaM厚膜,满足产业化需求。

    无线电力传输用磁场屏蔽片以及包括其的无线电力接收模块

    公开(公告)号:CN108432358B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201680076608.X

    申请日:2016-10-28

    发明人: 张吉在

    IPC分类号: H05K9/00 H01F10/20 H02J7/02

    摘要: 本发明提供一种无线电力传输用磁场屏蔽片以及包括其的无线电力接收模块。根据本发明示例性实施例的无线电力传输用磁场屏蔽片包括:第一薄片,其屏蔽从以磁感应方式运转的第一无线电力传输用天线产生的磁场;第二薄片,其具备用于收容上述第一薄片的厚度的收容部,且屏蔽从以磁共振方式运转的第二无线电力传输用天线产生的磁场;以及第三薄片,其以同时覆盖上述第一薄片以及第二薄片的方式层压在上述第一薄片和第二薄片的同一面上,以屏蔽从上述第二无线电力传输用天线产生的磁场。

    一种溶胶-凝胶法制备锰锌铁氧体薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104599807B

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201410674461.7

    申请日:2014-11-21

    IPC分类号: H01F10/20 H01F41/24 C23C20/08

    摘要: 一种采用溶胶‑凝胶法制备锰锌铁氧体薄膜的方法,步骤为:1)按Mn0.5Zn0.5Fe2O4化学计量比称量硝酸铁和硝酸锌,将这两种原料物溶于去离子水中;2)将硝酸锰溶液加入到步骤1)得到的溶液中,加入柠檬酸作为络合剂,得到混合溶液;3)在步骤2)得到的混合溶液中加入氨水,调节溶液pH值为6‑7,得到溶胶,然后在溶胶中加入聚乙烯吡咯烷酮;4)采用盐酸和氢氟酸混合水溶液清洗硅基片,并用氮气吹干;5)将步骤3)得到的锰锌铁氧体溶胶滴到步骤4)清洗后的硅基片上,用KW‑4A匀胶机2000~3000r/min甩胶,使溶胶均匀分布在硅基片表面;然后将硅基片置于250℃~300℃马弗炉中热处理20~30min后随炉升温到500℃,保温20~30min后取出硅基片。随炉升温速率为10~20℃/min,炉温变化在±5℃内。

    一种磁性Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜、制备方法及其用途

    公开(公告)号:CN104805475B

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201510114509.3

    申请日:2015-03-16

    摘要: 本发明提供了一种磁性Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法,所述复合薄膜包括Co纳米线和多孔氧化铝薄膜,所述Co纳米线位于所述多孔氧化铝薄膜的纳米孔洞中,并且所述Co纳米线的长度从多孔氧化铝薄膜的中心处向四周递减。所述磁性Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜具有高饱和度环形结构色和渐变的磁性,制备方法简单,只需一次交流电沉积即可制备得到,成本较低,能够应用于防伪、绘画、装饰、化妆品、显像技术、染料敏化和太阳能电池等领域。