公开(公告)号：CN113990658B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202111395507.8

申请日：2021-11-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 汤如俊 ,  彭峰

IPC: H01F41/16 ,  H01F41/22 ,  H01F41/14 ,  H01F13/00 ,  H01F10/20 ,  H01P1/38

Abstract: 本发明公开了一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将BaM粉末与有机载体混合、研磨，得到混合均匀的浆料；(2)将浆料通过丝网印刷法涂抹到Al2O3基片上，形成厚膜；(3)将上述厚膜与基片放置磁场中，进行加热充磁、排胶；(4)对充磁后的厚膜进行加压烧结，得到所述六角铁氧体厚膜。本发明通过优化有机载体、控制BaM粉末粒径、改进制膜工艺，制备得到高剩磁比、低孔隙率、高密度、高饱和磁化强度的六角铁氧体厚膜，可应用于自偏置环形器，且上述制备方法可实现低成本、大规模制备BaM厚膜，满足产业化需求。

公开(公告)号：CN113990658A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111395507.8

申请日：2021-11-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 汤如俊 ,  彭峰

IPC: H01F41/16 ,  H01F41/22 ,  H01F41/14 ,  H01F13/00 ,  H01F10/20 ,  H01P1/38

Abstract: 本发明公开了一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将BaM粉末与有机载体混合、研磨，得到混合均匀的浆料；(2)将浆料通过丝网印刷法涂抹到Al2O3基片上，形成厚膜；(3)将上述厚膜与基片放置磁场中，进行加热充磁、排胶；(4)对充磁后的厚膜进行加压烧结，得到所述六角铁氧体厚膜。本发明通过优化有机载体、控制BaM粉末粒径、改进制膜工艺，制备得到高剩磁比、低孔隙率、高密度、高饱和磁化强度的六角铁氧体厚膜，可应用于自偏置环形器，且上述制备方法可实现低成本、大规模制备BaM厚膜，满足产业化需求。