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公开(公告)号：CN100392775C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610013057.0
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用。它是在基片上制成磁性颗粒薄膜，磁性颗粒薄膜的组成是(NiFe)xGe1-x，其中x为镍铁合金颗粒所占的体积百分比，0.52～0.58，薄膜厚度在4～8纳米。本发明的磁性颗粒薄膜采用磁控溅射法制备，先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%；锗靶上加25瓦的射频功率，根据成份的要求，在镍铁合金靶上加以12～20瓦的直流功率。本发明的磁性颗粒薄膜具有制备工艺简单、成本低、灵敏度高、工作温度范围宽、器件尺寸小等特点，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1805080A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12％。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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公开(公告)号：CN1805079A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013057.0
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用。它是在基片上制成磁性颗粒薄膜，磁性颗粒薄膜的组成是(NiFe)xGe1－x，其中x为镍铁合金颗粒所占的体积百分比，0.52～0.58，薄膜厚度在4～8纳米。本发明的磁性颗粒薄膜采用磁控溅射法制备，先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20％；锗靶上加25瓦的射频功率，根据成分的要求，在镍铁合金靶上加以12～20瓦的直流功率。本发明的磁性颗粒薄膜具有制备工艺简单、成本低、灵敏度高、工作温度范围宽、器件尺寸小等特点，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119793392A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510283756.X
申请日：2025-03-11
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属‑碱土金属‑FAU分子筛及其制备方法和应用，涉及沸石分子筛的吸附分离技术领域。所述过渡金属‑碱土金属‑FAU分子筛以商业Na‑FAU分子筛为原料，经过离子交换、高温煅烧等步骤合成。所制备的过渡金属‑碱土金属‑FAU分子筛具有较强的局域电场，对乙炔的吸附捕获作用极强。过渡金属‑碱土金属‑FAU分子筛可从乙炔乙烯混合物中选择性吸附乙炔从而实现乙烯的深度纯化。本发明利用过渡金属‑碱土金属‑FAU分子筛分离乙炔乙烯混合物和捕获低浓度乙炔的方法简便，吸附剂成本低，具有较强的工业推广前景。
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公开(公告)号：CN100401433C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19纳米，厚度200-500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10%～12%。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1805081A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013056.6
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Fex(TiO2)1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.40＜x＜0.76。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射功率沉积。基片为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明的Fex(TiO2)1－x磁性颗粒薄膜的最大磁电阻数值为－29.3％，室温磁电阻数值大于－10％。本发明制备的Fex(TiO2)1－x磁性颗粒薄膜具有高磁电阻数值、制备工艺简单、成本低、适用于多种基片等优点，可用来制作计算机读出磁头、磁随机存储器、微弱磁场检测、位置检测等磁敏传感器件。
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公开(公告)号：CN104537848A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510006936.X
申请日：2015-01-08
Applicant: 南开大学
IPC: G08G1/065
CPC classification number: G08G1/0133 , G08G1/065
Abstract: 本发明提出了一种基于车载自组织网络的城市道路交通状态探测方法。该方法将装备有无线通信设备与GPS的车辆选作交通状态的“探针”（以下称探针车辆），利用车载自组织网络实现探针车辆与路边通信单元（RSU）间的通信，RSU根据接收到的状态信息计算出探针车辆通过被测路段时间，并以此评价被测道路的交通状况。为了适应车流不断变化的交通场景，本发明提出了一种自适应的T窗口算法来计算一段时间内所有探针车辆的平均通行时间。最后，本发明根据对真实交通场景的观测数据建立的仿真模型，并借助网络模拟器NS-2验证了自身的有效性。
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公开(公告)号：CN100409379C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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公开(公告)号：CN100387751C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510122237.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在-250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100372032C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610013056.6
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Fex(TiO2)1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.40＜x＜0.76。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射功率沉积。基片为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明的Fex(TiO2)1-x磁性颗粒薄膜的最大磁电阻数值为-29.3%，室温磁电阻数值大于-10%。本发明制备的Fex(TiO2)1-x磁性颗粒薄膜具有高磁电阻数值、制备工艺简单、成本低、适用于多种基片等优点，可用来制作计算机读出磁头、磁随机存储器、微弱磁场检测、位置检测等磁敏传感器件。
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