公开(公告)号：CN100401433C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200610013054.7

申请日：2006-01-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  王雅欣 ,  王健 ,  刘技文 ,  张德贤 ,  孙云 ,  李志青

IPC: H01F10/20 ,  H01F41/18 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19纳米，厚度200-500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10%～12%。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。

公开(公告)号：CN1819077A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610013054.7

申请日：2006-01-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  王雅欣 ,  王健 ,  刘技文 ,  张德贤 ,  孙云 ,  李志青

IPC: H01F10/20 ,  H01F41/18 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19nm，厚度200～500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10％～12％。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。