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    太阳能电池的制造方法以及太阳能电池的制造装置
    71.
    发明公开
    太阳能电池的制造方法以及太阳能电池的制造装置 无效

    公开(公告)号：CN102460719A

    公开(公告)日：2012-05-16

    申请号：CN200980159767.6

    申请日：2009-06-18

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 山室和弘 ,  佐藤诚一 ,  矢作充 ,  汤山纯平 ,  中村久三

    IPC分类号： H01L31/04

    CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 一种太阳能电池的制造方法，形成包含多个分区单元(21、21s)、彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间被电连接的光电转换体(12)，确定所述光电转换体(12)之中具有结构缺陷(R、A1、A2、A3)的所述分区单元(21s)，根据在彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间测量多个位置的电阻值而获得的电阻值的分布，圈出在所述分区单元(21s)内存在所述结构缺陷的区域(Z)，通过图像拍摄部(24)在该被圈出的存在所述结构缺陷的所述区域(Z)内进行拍摄，根据得到的图像准确地确定所述结构缺陷的位置，从而限定在所述分区单元(21s)内存在所述结构缺陷的部位，对存在所述结构缺陷的部位照射激光光线，去除所述结构缺陷。

    陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法
    72.
    发明公开
    陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法 无效

    公开(公告)号：CN102339892A

    公开(公告)日：2012-02-01

    申请号：CN201010234211.3

    申请日：2010-07-20

    申请人： 中晶(香港)有限公司

    发明人： 张桓棠 ,  陈聪

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/048

    CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

    摘要： 陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法。本发明提供一生产太阳能电池的方法。此方法包括提供的晶体硅衬底可以是单晶或多晶，此衬底的厚度确定为第一厚度，包含了第一面和第二面，第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域，此分隔区域包含氢元素和化合物分子及基本上并行于第一面，亦在厚度内确定了首部份与次部份，首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。另外，此方法包含在第一面提供一模子结构，此模子结构确定了一支撑区域。再者，此方法包含在支撑区域内形成一层陶瓷物料。此外，此方法包含次部份的移除。而且此方法包含在首部份形成电子器件。最后，本发明提供太阳能瓷砖的太阳能电池的封装结构及连接器。

    薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块
    76.
    发明公开
    薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块 失效

    公开(公告)号：CN102017172A

    公开(公告)日：2011-04-13

    申请号：CN200980116223.1

    申请日：2009-05-12

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 内田宽人 ,  田口游子 ,  上田仁 ,  高山道宽

    IPC分类号： H01L31/04

    CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

    摘要： 本发明提供一种薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块，采用该制造方法可确保薄膜太阳能电池模块的绝缘耐压特性具有较高的可靠性。本发明所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法包括：在有绝缘性的透明基板(10)上形成第1电极层(11)的步骤；形成第1隔离槽(21X、21Y)的步骤，由其隔开透明基板的周边区域(30X、30Y)和位于该周边区域内侧的发电区域(50)，其形成深度达到透明基板的表面；在透明基板上形成半导体层(13)的步骤；在透明基板上形成第2电极层(12)的步骤；形成第2隔离槽(22a、22X、22Y)的步骤，其比第1隔离槽还靠近周边区域，其形成深度达到透明基板的表面；对周边区域进行喷砂处理以去除周边区域上的第1电极层、半导体层和第2电极层的步骤。

    提供太阳能电池系统中串联连接的方法
    77.
    发明公开
    提供太阳能电池系统中串联连接的方法 失效

    公开(公告)号：CN101952965A

    公开(公告)日：2011-01-19

    申请号：CN200880121577.0

    申请日：2008-12-17

    申请人： 海利安特斯有限公司

    发明人： E·P·斯波泰尔

    IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

    摘要： 本发明涉及一种提供太阳能电池中串联连接的过程，该过程包括提供太阳能电池、包括透明导电氧化物层、光伏层和后电极的系统，其中该系统被划分为至少两个单独的电池，其中一个电池的透明导电氧化物层通过导电互联与相邻电池的后电极连接，并且透明导电氧化物层具有在该互联的一侧的绝缘中断，而后电极具有该互联另一侧上的中断，该过程特征在于通过玻璃化透明导电氧化物层提供透明导电氧化物层中的中断。还请求保护具有串联连接的太阳能电池系统，其中TCO层中的中断由TCO的玻璃化部分制成。

    光传感器
    79.
    发明公开
    光传感器 失效

    公开(公告)号：CN101517746A

    公开(公告)日：2009-08-26

    申请号：CN200780035143.4

    申请日：2007-12-14

    申请人： 卡西欧计算机株式会社

    发明人： 松本广 ,  山口郁博 ,  小林启和

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/113 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L31/022408 ,  H01L27/14678 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1136 ,  Y02E10/50

    摘要： 一种光传感器，包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)。源电极和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述纵向布置，并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之间形成欧姆接触层(7，8)。