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公开(公告)号：CN113792471B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202110962547.X
申请日：2021-08-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/25
Abstract: 一种多粒子多碰撞微放电阈值蒙特卡罗计算方法，属于空间微波技术领域。本发明提出了一种高效准确的计算星载微波部件微放电阈值的蒙特卡罗方法，该方法对多个初始电子的出射能量、角度及相位进行随机化处理，按照碰撞电子产生的实际二次电子个数及对应能量参与碰撞时刻后的微放电过程，该多粒子‑多碰撞过程更加客观、准确地表征了微放电效应发生的物理过程。计算结果表明，以商用粒子模拟软件结果为参考，所提出的方法相对于已有的蒙特卡罗方法计算精度显著提升，同时比粒子模拟方法的计算效率显著提升。
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公开(公告)号：CN115261776A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111748769B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107124233B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201710256836.1
申请日：2017-04-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B17/00
Abstract: 一种采用电桥结合滤波器实现宽带无源互调测量的装置及方法，载波信号通过待测件后产生无源互调信号，通过电桥和滤波器的组合实现载波信号和无源互调信号的分离，载波信号被载波吸收负载吸收，无源互调信号通过低噪声放大器后由频谱仪进行检测，本发明采用90°相位3dB电桥与低通滤波器相结合，利用电桥的宽带特性，实现宽带范围的无源互调信号接收，同时通过低通滤波器实现载波信号和互调信号的分离，通过90°相位3dB电桥和低通滤波器的灵活组合，同时实现了宽带和高隔离度性能，有效避免了传统方法中实现宽带无源互调测量时存在的高隔离和宽带宽的矛盾，降低了设计实现难度，可以实现宽带范围内的高灵敏度无源互调产物测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110569564A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910764621.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种穿舱法兰介质窗微放电阈值预测方法，首先设置输入和输出端口，并进行直六面体网格剖分，在真空一侧介质表面加载正的初始面电荷，并采用静电场求解方法获得所加载初始电荷的静态电场分布，将该静态电场作为偏置，在外加射频激励信号的作用下，采用PIC算法对微放电过程进行仿真，通过判断电子数目随时间的变化来判断是否发生了微放电，对输入信号的功率进行迭代，最终获得满足指定阈值精度的微放电阈值。
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公开(公告)号：CN110323527A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107248605B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201710465708.8
申请日：2017-06-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种大功率环行器，包括金属腔体(1)、铁氧体旋磁基片(2)和介质卡槽(3)；金属腔体(1)包括上盖、底座，上盖和底座上镜面对称位置有凹槽，上盖安装在底座上，上盖与底座之间形成空腔；铁氧体旋磁基片(2)位于介质卡槽(3)内；介质卡槽(3)安装在金属腔体(1)的空腔中，位于上盖和底座的凹槽之间，使得铁氧体旋磁基片(2)贴紧金属腔体(1)。本发明的方法首先通过初步电性能设计优化将最强场强集中于旋磁基片区域，然后在该区域加载多层同心介质圆环构成介电常数随空间变化的介质卡槽，然后进一步进行电性能优化与微放电仿真优化，在满足实际电性能需要的前提下实现微放电电子轨迹阻断，有效提升微放电阈值功率。
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公开(公告)号：CN106835078B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710042284.4
申请日：2017-01-20
Applicant: 陕西科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种陷阱结构Ag/TiO2/Au涂层的制备方法，采用两步湿化学刻蚀法处理镀银铝合金表面，使镀银铝合金表面形成陷阱结构；继而在陷阱结构表面采用类化学镀法制备TiO2薄膜过渡层，以达到TiO2薄膜在陷阱结构表面的随形沉积；最后采用化学镀法在TiO2表面随形沉积Au薄膜，从而在镀银铝合金表面形成一种陷阱结构Ag/TiO2/Au涂层，提高镀银铝合金表面的二次电子抑制特性及其环境稳定性。
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公开(公告)号：CN106501606B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610841946.X
申请日：2016-09-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法，它包括通过测量仪器对接触界面进行局部统计观察，获得表征实际表面形貌的微凸体的信息，包括微凸体高度数量分布形式、微凸体高度标准差、微凸体面密度、微凸体曲率半径，使用这些信息最终得到接触界面在不通过压强下的收缩电阻。本发明能够跟踪获得表面的每一个微凸体的在不同压强下的状态及变化信息，可适用于任何形式的微凸体高度分布，不仅能计算的直流情况的收缩电阻，也能计算交流情况的接触界面的收缩电阻。本发明的结果可用于微波部件接触界面的等效电路模型的研究，为研究微波部件无源互调的非线性机理提供支撑。
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