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公开(公告)号：CN107369617A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710547437.0
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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公开(公告)号：CN107268076A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710633557.2
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C30B25/183 , C30B29/04
Abstract: 本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
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公开(公告)号：CN103258926A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310156642.6
申请日：2013-04-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p-GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，发光面积大，散热能力强，不存在电流拥堵效应。同时，由于此LED垂直芯片为直接外延生长，相较于剥离-键合工艺制备的垂直结构LED，省去了剥离和键合工艺，使得工艺简化、成品率高。
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公开(公告)号：CN101770951A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010300105.0
申请日：2010-01-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种采用高纯ZnO、MgZnO陶瓷靶材，利用射频源等离子辅助L-MBE设备，在蓝宝石(0001)单晶衬底上外延生长ZnO/MgZnO异质结的方法。首先，设置等离子体辅助激光分子束外延系统；然后，利用设置好的等离子体辅助激光分子束外延系统处理蓝宝石衬底从而获得氧极性面衬底；最后，利用等离子体辅助激光分子束外延系统在蓝宝石氧极性面衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、ZnO层和MgZnO层。由该方法生长得到的ZnO/MgZnO异质结，通过测试C-V，表明在其界面上形成了高浓度的二维电子气。
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公开(公告)号：CN101691651A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910024216.0
申请日：2009-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种采用InGaZnO陶瓷靶材(In∶Ga∶Zn原子比为1∶1∶1)，利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下(本底真空度为10-6Pa，生长时O2分压为10-3Pa，射频功率为100-400W)，在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜的工艺。其中射频功率300W时所得到的InGaZnO薄膜可见光范围透过率超过80％，电阻率为5.24×10-3Ωcm，电子迁移率为16.14cm2v-1s-1，电子浓度为8.31×1019cm-3。该方法利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜，在100-400W射频功率得到光学和电学性能优良的非晶态InGaZnO透明导电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468664C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710017888.X
申请日：2007-05-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/467 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌紫外探测焦平面成像阵列制作中氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过氯化铵水溶液进行刻蚀，其中为了改善刻蚀效果还可以对刻蚀液进行水浴加热。上述刻蚀方法中，由于采用氯化铵溶液作为刻蚀剂，因此它具有以下优点：(1)刻蚀表面平整度高；(2)刻蚀的选择性非常好(对光刻胶没有腐蚀性)；(3)可以达到非常好的纵横比要求；(4)对要刻蚀的样品没有任何杂质离子的污染，对器件的性能没有影响；(5)并且只需改变氯化铵溶液的浓度，就可以在保证刻蚀表面平整和比较好的纵横比的前提下，得到不同的刻蚀速率，操作非常简单；(6)可以通过控制刻蚀时间来控制刻蚀深度。
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公开(公告)号：CN101202315A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710019126.3
申请日：2007-11-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的方法。该方法利用在蓝宝石或石英衬底上依次沉积ITO薄膜和ZnO薄膜；再对薄膜在氧气氛中对ZnO薄膜进行400℃热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性；然后将ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面；最后在ZnO台面上沉积金属Al作为欧姆接触电极，以此获得了垂直结构的ZnO紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN101071775A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710017888.X
申请日：2007-05-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/467 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌紫外探测焦平面成像阵列制作中氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过氯化铵水溶液进行刻蚀，其中为了改善刻蚀效果还可以对刻蚀液进行水浴加热。上述刻蚀方法中，由于采用氯化铵溶液作为刻蚀剂，因此它具有以下优点：(1)刻蚀表面平整度高；(2)刻蚀的选择性非常好(对光刻胶没有腐蚀性)；(3)可以达到非常好的纵横比要求；(4)对要刻蚀的样品没有任何杂质离子的污染，对器件的性能没有影响；(5)并且只需改变氯化铵溶液的浓度，就可以在保证刻蚀表面平整和比较好的纵横比的前提下，得到不同的刻蚀速率，操作非常简单；(6)可以通过控制刻蚀时间来控制刻蚀深度。
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公开(公告)号：CN101055903A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710017789.1
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×104Pa～1.0×105Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性，以此获得了高灵敏度、快速响应的ZnO MSM型紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN208379051U
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201820518712.6
申请日：2018-04-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种生长单晶金刚石的生长结构，包括依次层叠设置的衬底、择优取向多晶金刚石层和单晶金刚石，解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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