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公开(公告)号：CN1331253A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123294.3
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/091 , Y10S428/901 , Y10S430/151 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31667
摘要： 右式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种包括有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物和由其制得的抗反射涂层的制备方法。该包含聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波,防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案,改进生产产率和控制K值。还可以防止由于完成涂覆后不平衡酸度而导致的刻痕。
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公开(公告)号：CN1983029B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610159600.8
申请日：1997-12-31
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G03F7/0395 , C08F232/04 , G03F7/039
摘要： 一种光致抗蚀剂，包括从双环烯衍生物、马来酸酐和/或碳酸亚乙烯酯制备的共聚物，其中共聚物分子量范围是3000-100000。该光致抗蚀剂可用于使用远紫外光作光源的亚微级平版印刷。除耐刻蚀性和耐热性高以外，该光致抗蚀剂具有良好粘附性并可在TMAH溶液中显影。
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公开(公告)号：CN1982388B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610143554.2
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C09D133/08 , G03F7/09
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/091 , Y10S428/901 , Y10S430/151 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31667
摘要： 包括下式1和下式的有机抗反射聚合物和由该抗反射涂料组合物制备的半导体器件。该包含聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16GDRAM半导体器件的稳定的超微图案，改进生产产率和控制K值。还可以防止由于完成涂覆后不平衡酸度而导致的刻痕。式1式2
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公开(公告)号：CN101071274B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710000151.7
申请日：2007-01-05
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/16 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/2041
摘要： 本发明公开一种使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法。所述半导体器件通过如下步骤制造：利用用于除胺的化学过滤器过滤空气；以及在(i)用水清洗所述光阻膜之后且在曝光工序之前，或(ii)用水清洗所述光阻膜之后且在后烘工序之前，将所述已过滤空气施加于在半导体基板上形成的光阻膜上。这些步骤可以高效地防止水斑缺陷。
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公开(公告)号：CN1637601B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410104922.3
申请日：2004-12-24
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/11 , C08F8/00 , C08F16/34 , C08F216/14
CPC分类号： G03F7/091 , C08F8/00 , C08F216/34 , C08F2810/20 , C08F116/34
摘要： 本发明披露一种用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其可用于半导体器件制造过程中通过使用波长为194nm的ArF光源，改进有关用于光刻法的超细图案形成过程中形成的光刻胶图案的均匀性；一种包括该聚合物的有机抗反射涂层组合物；及一种使用该组合物形成光刻胶图案的方法。用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其能够轻易地移除该有机抗反射涂层，其防止底部薄膜层的漫反射且消除由于光刻胶薄膜本身的厚度的改变所引起的驻波效应以使该光刻胶图案的均匀性增加，且同时增加该有机抗反射涂层的蚀刻速度，因而允许该有机抗反射涂层被轻易地移除；及一种含有该交联聚合物的有机抗反射涂层组合物。
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公开(公告)号：CN100576445C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710122961.X
申请日：2007-07-04
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 本发明公开一种使用湿浸式光刻工序形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在湿浸式光刻工序中以烷溶剂或醇来预处理光阻膜的顶部，以形成均匀的上方涂覆膜。
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公开(公告)号：CN100550289C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710079292.2
申请日：2007-02-16
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： 本发明公开一种用于制造半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：a)在底层之上形成包括第一层硬掩模薄膜至第n层硬掩模薄膜(n为2或大于2的整数)的叠层结构，所述底层形成于半导体基板上；b)选择性蚀刻所述第n层硬掩模薄膜(顶层)以得到所述第n层的第一硬掩模图案；c)在所述第n层的第一硬掩模图案之间形成所述第n层的第二硬掩模图案；d)使用所述第n层的第一和第二硬掩模图案作为蚀刻掩模以蚀刻第(n-1)层硬掩模薄膜。重复步骤c)和步骤d)以在所述底层上形成第一层的第一和第二硬掩模图案；并且，使用所述第一层的第一和第二硬掩模图案作为蚀刻掩模以蚀刻所述底层。
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公开(公告)号：CN101362809A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810126683.X
申请日：2008-06-20
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
CPC分类号： G03F7/091 , C08F228/02
摘要： 本发明公开一种抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法，所述聚合物用于通过交联获得具有高折射率的抗反射膜。含有用于交联的聚合物的抗反射性组成物适用于半导体器件制造过程中的使用ArF(193nm)的浸没式光刻工序。
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公开(公告)号：CN101217105A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710107974.X
申请日：2007-05-22
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/004
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/0397 , H01L21/0338
摘要： 本发明公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，该方法包括下列步骤：在包括底层的半导体基板上涂覆第一光阻组合物，由此形成第一光阻膜；对所述第一光阻膜进行曝光和显影，由此形成第一光阻图案；在所得到的结构上形成不与所述第一光阻图案反应的第二光阻膜；以及对所述第二光阻膜进行曝光和显影，由此形成第二光阻图案；其中，所述第一光阻图案和所述第二光阻图案各包括多个元件，并且所述第二光阻图案的各元件分别位于所述第一光阻图案的相邻元件之间。
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公开(公告)号：CN101145515A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710130154.2
申请日：2007-07-20
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/3213 , G03F7/00
摘要： 本发明公开一种形成半导体器件精细图案的方法，所述方法包括：在包括基层的半导体基板之上形成光阻图案；在所述光阻图案的侧壁上形成交联层；然后除去所述光阻图案，以形成包括所述交联层的精细图案；利用所述精细图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述基层。因此，所述基层具有比最小间距更小的尺寸。
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