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公开(公告)号：CN117062516A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310977253.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及阻变存储器制备技术领域，具体涉及一种通用型纳米结构沟道平面电极以及制备方法，将低成本AAO纳米结构制备工艺在平面电极沟道中引入纳米结构沟道电极，通过纳米结构尺寸的调控，减小左右电极的有效间距、实现高性能器件制备。本发明解决EBL等精细加工的依赖性问题，同时电极间距只需控制在微米级，从而可采用传统光刻工艺制备左右电极。由于沟道区域的宽度在微米级，而光刻的对准精度为0.5μm，所以可以消除第二、三次光刻对准误差的影响。此外，通过省略部分步骤，还可实现通用型的传统平面电极的制备，在此基础上，本发明实现纳米结构沟道平面电极的独立、可控制备，获得通用型纳米结构沟道平面电极。
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公开(公告)号：CN116923288A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310760857.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B60R16/023 , B60Q9/00 , G08C17/02
Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
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公开(公告)号：CN111916558B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h‑BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h‑BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
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公开(公告)号：CN115974134A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310096428.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。
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公开(公告)号：CN115966918A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310031901.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供了一种相控阵天线及雷达装置，本申请提供的相控阵天线，将相控阵天线辐射单元层贴合在第一基板的第一面，而将第一基板的第二表面设置成具有不同高度的第一区域和第二区域，以将具有耦合间隙阵列的接地板贴合在高度相对较低的第二区域上，再在接地板的另一面贴合第二基板，然后分别在第一基板的第一区域以及第二基板远离接地板的一面贴合射频前端电路层和馈电网络层，以通过馈电网络层将射频前端电路层输出的射频信号和/或电磁波发射控制信号反馈至相控阵天线辐射单元层，从而使得相控阵天线辐射单元层分时以相应的扫描角度辐射电磁波。因此，本申请提供的相控阵天线的带宽较大，且结构简单，制备成本低，容易实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115542563A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211288631.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯等离子体诱导透明的太赫兹偏振分束器，由硅衬底和两层电介质薄膜及三成石墨烯结构组成。基于等离子体诱导透明的原理，本发明可以实现将两个正交的偏振态在空间上进行分离的功能，具有较高的消光比(PER)和较低的插入损耗(IL)；并且基于石墨烯的动态可调性，偏振分束器的工作频点可以通过改变石墨烯的费米能级进行调谐，这为基于石墨烯的可调谐偏振器件提供了可靠的结果。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后光电子器件的设计中。
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公开(公告)号：CN113280840A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110524565.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于金纳米四棱锥结构偏振相关的等离子光热传感器。属于微纳光电子领域，传感器包括衬底和金属四棱锥，在衬底1上刻蚀有纳米金属四棱锥2阵列。通过改变传感器尺寸L1，可以达到对覆盖整个可见光谱的光的操纵。本发明可以实现对对覆盖整个可见光谱的光的调节，且具有偏振相关特性，可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度。
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公开(公告)号：CN109607597B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN112707433A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
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公开(公告)号：CN112558209A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011495449.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于H型阵列的全介质超表面颜色滤波器。所述滤波器结构为：在衬底上刻蚀介质纳米阵列，其中纳米阵列的单元结构为H型介质纳米结构。该结构由两个长度宽度相等且对称平行的介质矩形块，一个垂直于两个平行矩形块正中且宽度与之相等的介质矩形块构成。在本发明实例中，衬底材料为二氧化硅，介质纳米阵列材料为硅，厚度为75nm，阵列x方向填充因子为0.55，y方向填充因子为0.9。利用光激发硅纳米结构的电与磁的Mie共振，以及共振波长与硅纳米结构形状尺寸的强相关特性，本发明可通过按比例缩放结构大小、改变H型介质纳米结构中矩形块的长与宽来调控滤出颜色，其滤出的颜色具有极高的饱和度。
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