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公开(公告)号：CN107942220A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711035073.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
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公开(公告)号：CN107682319A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710823063.0
申请日：2017-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林宇辉信息科技有限责任公司
Abstract: 公开了一种基于增强型角度异常因子的数据流异常检测及多重验证的方法，其特征是，包括如下步骤：1)对实时数据流进行处理；2)设置滑动窗口中数据集S；3)初始化参数k、r、ξ；4)获取距离矩阵dist；5)得到r邻域点集合；6)得到r邻域点集合的角度因子 和局部密度 7)获取相异度；8)获取各数据点的簇心因子；9)获取归属矩阵；10)确定簇心并聚类；11)对聚类后的各簇分别进行异常检测；12)多重验证。这种方法运用了滑动窗口和基本窗口技术，构造了高效的数据流处理模型，降低了内存的占用率、实时性好、异常检测准确率高、时间复杂度低。
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公开(公告)号：CN107612514A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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公开(公告)号：CN106952229A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710151796.4
申请日：2017-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于数据增强的改进型卷积网络的图像超分辨率重建方法，包括数据增强和网络结构改进的步骤。一方面采用多角度旋转和翻转样本集的方式增加了样本的多样性，因此可以获得多角度背景的特征实现特征的旋转不变性；充分的特征信息有利于提高图像的重建精度。另一方面本方法的网络模型利用深层卷积神经网络提取特征，多层的卷积层有利于提取更高级，更加完整的特征，然后用反卷积层作为重建层对卷积层输出的特征映射进行处理，恢复图像分辨率，从而得到超分辨率图像。由于卷积层缺乏旋转不变性的特性，本方法另外样本的多样性达到增加参数的目的，从而更好的拟合网络最终实现提高重建精度，并加快网络训练的收敛速度的效果。
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公开(公告)号：CN106803518A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710086446.4
申请日：2017-02-17
Abstract: 本发明公开一种基于场氧层电场调制的功率器件，通过在场氧层内引入同型变掺杂的同型固定界面电荷区电场分布与漂移区体电场相互调制，引入的新电场尖峰优化了漂移区的表面电场强度，使得表面电场分布更加均匀，从而提高器件的横向耐压特性。此外，变掺杂固定界面电荷区，不仅提高了器件的耐压特性，同时其固定电荷结构简单，受温度、应力影响较小，工艺容差高，与常用的漂移区内局部掺杂电荷的结构可同时使用，通过对引入的同型固定界面电荷区的面密度，分布区域，分布连续性进行优化，获取更佳的击穿电压，并提供更多的提高击穿电压的结构，可广泛运用于多种半导体功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106780751A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710044516.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06T17/30
CPC classification number: G06T17/30
Abstract: 本发明公开了基于改进的屏蔽泊松算法的三维点云重建方法，包括如下步骤：获取模型三维点云数据；引入屏蔽因子，通过引入点和梯度的约束来对泊松算法进行预处理约束限制；使用八叉树分割对点云简化去噪，压缩存储，建立点云间拓扑结构，实现快速建立和高效查找八叉树邻节点；对每个点云法向量进行法向重定向，减少法向指向的二义性；计算向量场；求解屏蔽泊松方程，得到指示函数；对点云等值面提取，得到三维重建模型。本发明方法整体上提高了法向量精确度很好地去除伪封闭曲面，同时对孔洞有良好填充，对表面信息丰富的物体模型点云数据，能够使纹理细节更显著。本发明方法可以广泛用在逆向工程，文物修复，和医学图像等领域。
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公开(公告)号：CN105631436A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610054837.3
申请日：2016-01-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/00221 , G06K9/00268 , G06K9/00288
Abstract: 本发明公开了一种基于随机森林的级联位置回归用于人脸对齐的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）得到归一化人脸图片； 2）计算人脸的平均形状； 3）生成人脸对齐框架的候选特征点；4）生成人脸形状索引灰度值；5）生成人脸形状索引特征X；6）构建人脸对齐框架；7）初始化人脸形状，不断迭代后，输出最终的估计人脸形状。这种方法在光照、表情变化、遮挡等情况下能够保持很好的鲁棒性，并且能提高精度、减少失败率。
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公开(公告)号：CN103480197A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310473494.0
申请日：2013-10-12
Applicant: 桂林宇辉信息科技有限责任公司 , 桂林电子科技大学
IPC: B01D35/143
Abstract: 本发明的环境水样全自动过滤装置过滤膜工作状态智能检测器，由软管流量检测器、动片和定片三大部分组成；动片与定片组成可变电容，将动片的移动转换为电容的变化，进而由可变电容的检测电路检测到电容的变化，就可以判断后段输水软管的流水量，从而间接判断出过滤膜是否堵塞。
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公开(公告)号：CN103346842A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310228915.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/54 , H04B10/564
Abstract: 本发明公开一种控制双平行MZM调制器输出光强的反馈控制系统和方法，其光纤耦合器的输入端连接双平行MZM调制器的输出端，光接收组件的输入端与光纤耦合器的次输出端相连，光接收组件的输出端与A/D转换器的输入端相连；A/D转换器的2个输出端分别连接数字比较器和存储器的输入端，存储器的输出端与数字比较器的另一个输入端相连，数字比较器的输出端与微处理器的输入端相连，微处理器的输出端经D/A转换器连接双平行MZM调制器的电源端。本发明能对双平行MZM调制器的输出光功率进行实时监控，并通过控制系统反馈信号控制调制器，使得输出功率恒定，系统性能最优。
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公开(公告)号：CN103077891A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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