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公开(公告)号：CN111916558B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h‑BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h‑BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
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公开(公告)号：CN115974134A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310096428.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。
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公开(公告)号：CN115966918A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310031901.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供了一种相控阵天线及雷达装置，本申请提供的相控阵天线，将相控阵天线辐射单元层贴合在第一基板的第一面，而将第一基板的第二表面设置成具有不同高度的第一区域和第二区域，以将具有耦合间隙阵列的接地板贴合在高度相对较低的第二区域上，再在接地板的另一面贴合第二基板，然后分别在第一基板的第一区域以及第二基板远离接地板的一面贴合射频前端电路层和馈电网络层，以通过馈电网络层将射频前端电路层输出的射频信号和/或电磁波发射控制信号反馈至相控阵天线辐射单元层，从而使得相控阵天线辐射单元层分时以相应的扫描角度辐射电磁波。因此，本申请提供的相控阵天线的带宽较大，且结构简单，制备成本低，容易实现。
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公开(公告)号：CN115542563A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211288631.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯等离子体诱导透明的太赫兹偏振分束器，由硅衬底和两层电介质薄膜及三成石墨烯结构组成。基于等离子体诱导透明的原理，本发明可以实现将两个正交的偏振态在空间上进行分离的功能，具有较高的消光比(PER)和较低的插入损耗(IL)；并且基于石墨烯的动态可调性，偏振分束器的工作频点可以通过改变石墨烯的费米能级进行调谐，这为基于石墨烯的可调谐偏振器件提供了可靠的结果。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后光电子器件的设计中。
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公开(公告)号：CN113280840A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110524565.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于金纳米四棱锥结构偏振相关的等离子光热传感器。属于微纳光电子领域，传感器包括衬底和金属四棱锥，在衬底1上刻蚀有纳米金属四棱锥2阵列。通过改变传感器尺寸L1，可以达到对覆盖整个可见光谱的光的操纵。本发明可以实现对对覆盖整个可见光谱的光的调节，且具有偏振相关特性，可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109607597B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN112707433A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
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公开(公告)号：CN112558209A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011495449.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于H型阵列的全介质超表面颜色滤波器。所述滤波器结构为：在衬底上刻蚀介质纳米阵列，其中纳米阵列的单元结构为H型介质纳米结构。该结构由两个长度宽度相等且对称平行的介质矩形块，一个垂直于两个平行矩形块正中且宽度与之相等的介质矩形块构成。在本发明实例中，衬底材料为二氧化硅，介质纳米阵列材料为硅，厚度为75nm，阵列x方向填充因子为0.55，y方向填充因子为0.9。利用光激发硅纳米结构的电与磁的Mie共振，以及共振波长与硅纳米结构形状尺寸的强相关特性，本发明可通过按比例缩放结构大小、改变H型介质纳米结构中矩形块的长与宽来调控滤出颜色，其滤出的颜色具有极高的饱和度。
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公开(公告)号：CN112130238A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011057874.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关，解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题，从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调，实现多阈值光开关，通过采用包括厚度小于工作波长的超表面，超表面为规则的几何形状，超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱；等离子体柱的材质为包层石英管和填充的惰性气体；利用米氏散射理论获得单个等离子体柱的米氏散射系数以确定米式共振频率，再阵列等离子体柱获得布拉格散射，使米氏散射与布拉格散射相干涉产生法诺共振现象的技术方案，较好的解决了该问题，可用于光开关领域中。
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公开(公告)号：CN108680974B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810293045.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波导可调谐光滤波器，主要包括金属膜以及开设在金属膜上的多个狭缝结构单元，多个狭缝结构单元中的横向矩形狭缝开设在金属膜下端的三分之一处，纵向矩形狭缝开设在横向矩形狭缝中部上端并且相互垂直，圆盘狭缝开设在纵向矩形狭缝上端且中心点在同一竖轴上，圆盘狭缝内镶有两个完全相同的等腰三角形，其顶角相连和底边相互平行形成蝴蝶结形状的金属棒，其顶角相连的交点就是圆盘狭缝的圆心。所有狭缝结构单元均贯穿金属膜上下表面上且形成统一的整体狭缝结构。本发明的滤波器结构在近红外波段内具有可调谐和高透射率的特性，并且通过改变结构的相关参数，可以达到调整透射光谱半高宽与选频位置目的，从而可以实现适用范围广、利用率高、易于集成的等离子激元可调谐滤波器。
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