公开(公告)号：CN109416503A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780038819.9

申请日：2017-07-03

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎

IPC: G03F1/62 ,  C01B32/162

Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、半导体装置的制造方法。一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向。

公开(公告)号：CN107533283A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680023233.0

申请日：2016-04-11

Applicant: 三井化学株式会社 ,  龙云株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  种市大树 ,  小野阳介 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  C09J7/38 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。

公开(公告)号：CN107003602A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201680003768.1

申请日：2016-01-22

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  美谷岛恒明 ,  小野阳介 ,  高村一夫 ,  藤井泰久 ,  松本信子

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/66 ,  G03F7/20

Abstract: 防护膜组件存在如下的问题：在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染，特别是在修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时，尘埃等附着的风险高。对此，本发明提供一种使尘埃等的附着减少的EUV用防护膜组件的制造方法。一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整基板，以及在修整后至少去除基板的一部分。此外，在去除基板的一部分之前，至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。

公开(公告)号：CN106233201A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580018782.4

申请日：2015-04-27

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  小野阳介 ,  种市大树 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC: G03F1/64 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/67359

Abstract: 本发明提供防护膜组件框，其具备框主体，所述框主体具有：设置在一端面的槽，所述一端面是厚度方向的一端面并且是支撑防护膜侧的一端面；以及贯通外周面与设置在上述一端面的槽的壁面之间的贯通孔。

公开(公告)号：CN103081076A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040488.5

申请日：2011-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C09K3/1006 ,  C09K2200/0645 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的冲洗液，上述半导体装置的制造方法依次包括以下工序：密封组合物赋予工序，对半导体基板的表面的至少一部分赋予半导体用密封组合物而形成半导体用密封层，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～600000的树脂，并且钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及洗涤工序，利用25℃时的pH值为6以下的冲洗液，将半导体基板的形成有上述半导体用密封层的面进行洗涤。

公开(公告)号：CN1777560A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480011066.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大池俊辅 ,  高村一夫 ,  村上雅美 ,  洼田武司

IPC: C01B33/12 ,  C09D183/00

CPC classification number: H01L21/02216 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明涉及一种多孔质二氧化硅形成用涂布液，其特征为：较佳含有烷氧基硅烷化合物的部分水解缩合物、界面活性剂、和有机两性电解质，且其金属含量为50ppb或其以下。以往的多孔质二氧化硅形成用涂布液，一旦保存期间变长，就会有所得到的多孔质二氧化硅膜的细孔的排列规则性变低的情形。与此相反，若根据本发明的多孔质二氧化硅形成用涂布液，则可提供一种具有优良的保存稳定性的涂布液。即，所得到的多孔质二氧化硅的性能不易受到上述涂布液的保存期间的影响。因此，期望能贡献于稳定地生产一种多孔质二氧化硅，即使将其暴露于电场，也不会引起电容、电压的偏移，并且具有规则排列的均匀的细孔，可适合用作为光功能材料或电子功能材料的多孔质二氧化硅膜。

公开(公告)号：CN1366509A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN01801051.2

申请日：2001-04-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  冈部晃博 ,  漥田武司 ,  蔵野義人 ,  村上雅美

IPC: C01B33/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/316 ,  H01L21/312

CPC classification number: C01B33/124 ,  B01J20/103 ,  B01J20/2809 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/17 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  C08J9/0004 ,  C08J2300/14 ,  C09C1/3045 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/265

Abstract: 合成的孔隙均匀的防水性多孔二氧化硅,该二氧化硅包括硅石骨架,其中氟原子通过共价键固定,并且碱金属含量不超过10ppb。用该防水性多孔二氧化硅,防水性多孔二氧化硅膜具有均匀的孔隙,适用于光功能性材料或电子功能性材料,还提供了该物质的制备方法,和它的用途。

公开(公告)号：CN101490145B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780027621.7

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C08J9/36 ,  C08G77/18 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/56 ,  C08G77/58 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/249953

Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4-a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a为1～3的整数，R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后，与疏水性化合物发生气相反应，使用得到的多孔膜，得到半导体装置。

公开(公告)号：CN101490145A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027621.7

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C08J9/36 ,  C08G77/18 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/56 ,  C08G77/58 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/249953

Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a为1～3的整数，R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后，与疏水性化合物发生气相反应，使用得到的多孔膜，得到半导体装置。