公开(公告)号：CN1127937A

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：CN95109338.X

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN1127427A

公开(公告)日：1996-07-24

申请号：CN95119630.8

申请日：1995-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 香西孝真 ,  张宏勇 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 用激光处理半导体器件的方法。进行两步独立的激光结晶步骤。先在真空中用稍弱激光进行激光辐照，然后在真空中，在大气或氧气气氛下用较强激光进行另一激光辐照步骤，在真空中所进行的第一步激光辐照不能导至满意的结晶。然而，该辐照能抑制皱脊的产生。在真空，大气或氧气环境中的第二步激光辐照获得满意的结晶，而且不产生皱脊。

公开(公告)号：CN1101167A

公开(公告)日：1995-04-05

申请号：CN94107606.7

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/00

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定型硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTS由无定型硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1098554A

公开(公告)日：1995-02-08

申请号：CN94103241.8

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  高山彻 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点状物，包含有各种盐的膜，包含了镍、铁、钴、和钯中至少一种的粒子或束状物可被用作为用于结晶的起动材料。在非晶态硅膜的上面或下面形成这些材料。

公开(公告)号：CN1094851A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94102725.2

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

Abstract: 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

公开(公告)号：CN1090427A

公开(公告)日：1994-08-03

申请号：CN93114663.1

申请日：1993-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L29/784 ,  H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696 ,  Y10S257/90

Abstract: 一种以增加硅化物膜减少源和漏间电阻的薄膜晶体管器件，通过在硅基片上形成栅绝缘膜和栅极接触区、用阳极氧化栅极接触区、用金属覆盖已露出的硅半导体表面和从上面或绝缘基片侧以激光等强光照射金属膜使金属涂层与硅反应以获得硅化物膜的工艺来制造。金属硅化物层还可通过紧密粘附一金属涂层到已露出的源和漏区，使用形状近似三角形、宽度最好是1μm或更小的绝缘体，和使金属与硅起反应而得到。于是能获得一种性能优良的TFT。

公开(公告)号：CN1088712A

公开(公告)日：1994-06-29

申请号：CN93118309.X

申请日：1993-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28158 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学气相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

公开(公告)号：CN1081282A

公开(公告)日：1994-01-26

申请号：CN93106335.3

申请日：1993-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀，除去连接的布线。

公开(公告)号：CN1893000B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200610099724.1

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 半导体器件的制造方法，本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

公开(公告)号：CN1921069B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610101655.3

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  石原浩朗

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: G02B27/09 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5813 ,  C23C16/56 ,  G02B27/0966 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种用激光束照射半导体层的激光加工装置，其特征在于，它包括：一个激光器，用于发射具有截面的激光束；扩展器件，用于只在截面的长度方向扩展激光束，其中激光束在长度方向的光强分布同时为所述扩展器件所均匀化，所述扩展器件至少有一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜；支撑器件，用于支撑用扩展过的激光束处理的衬底；移动器件，用于在扩展过的激光束截面的宽度方向移动所述衬底。