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公开(公告)号：CN212907742U
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202021997871.2
申请日：2020-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及功率器件以及系统。本公开的各种实施例提供了功率器件，功率器件包括被适配用于在被电流流过时生成磁场的至少一个第一导电元件，并且特征在于功率器件还包括与第一导电元件电绝缘的霍尔传感器。传感器和第一导电元件被互相布置以使得检测指示流过第一导电元件的电流的所述磁场。根据本公开的功率器件具有较高的实用性和使用便利性。
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公开(公告)号：CN207925459U
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201820012774.X
申请日：2018-01-04
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·帕加尼
IPC: H01L23/528 , H01L23/544
Abstract: 本公开涉及一种电子装置。衬底包括掺杂有相反导电类型的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层在PN结处彼此接触以形成结型二极管。由绝缘层侧向包围的导电区域形成的至少一个硅通孔结构完全穿过第一半导体层并且部分穿过第二半导体层延伸，硅通孔结构具有嵌入在第二半导体层中并且与第二半导体层物理接触和电接触的后端。第一电连接件被制作成连接到第一硅通孔结构，并且第二电连接件被制作成连接到第一半导体层。在第一电连接件和第二电连接件处施加并感测测试电流，以检测至少一个硅通孔结构中的缺陷。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204613453U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201420860754.X
申请日：2014-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4214 , G01J1/0209 , G01J1/0407 , G02B6/4202
Abstract: 提供了一种集成光电子器件和光电子系统以克服现有技术不能形成基于光学通信并且包括更多器件的三维系统的缺点。集成电子器件由第一表面和第二表面界定，并且包括：由半导体材料制成的本体，在本体内部形成在探测器和发射器之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。根据本公开的实施例的光电子器件和光电子系统可以形成基于光学通信并且包括更多器件的三维系统。
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公开(公告)号：CN205426393U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201520972088.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种压力传感器、压力测量设备以及制动系统，压力传感器(15)带有双测量刻度，包括：柔性本体(16，34)，设计成根据压力(P)而经受偏转；压阻转换器(28，29；94)，用于检测偏转；第一聚焦区域(30)，设计成在第一操作条件过程中将压力(P)的第一值(PINT1)集中在柔性本体的第一部分(19)中，以便使柔性本体的第一部分发生偏转；以及第二聚焦区域(33)，设计成在第二操作条件过程中将所述压力(P)的第二值(PINT2)集中在柔性本体的第二部分(17)中，以便使柔性本体的第二部分发生偏转。压阻转换器将柔性本体的第一部分的偏转关联至第一压力值(PINT1)，并且将柔性本体的第二部分的偏转关联至第二压力值(PINT2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205248263U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520946134.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及集成电路。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN205209667U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201520967108.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01N3/08 , G01L1/005 , G01L5/103 , G01N3/066 , H01L23/3107
Abstract: 本公开涉及张应力测量设备。一种张应力测量设备要附接到待测量对象。张应力测量设备可以包括具有半导体衬底和张应力测量电路的IC，半导体衬底具有相对的第一附接区域和第二附接区域。张应力测量设备可以包括耦合到第一附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第一附接板以及耦合到第二附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第二附接板。张应力检测电路可以被配置成检测在第一附接板和第二附接板附接到待测量对象时施加在第一附接板和第二附接板上的张应力。
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公开(公告)号：CN205209660U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201520977679.X
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/00
CPC classification number: G01L5/0038 , F16B31/028 , G01L1/18 , G01L1/20
Abstract: 一种压力感测设备，可以包括主体，其配置为将施加在彼此相抵靠地放置的第一部分和第二部分之间的负载进行分布，以及由所述主体承载的压力感测器。所述压力感测器可以包括支撑主体，以及通过所述支撑主体安装并且限定了其间的空腔的IC裸片。所述IC裸片可以包括响应于与空腔相关联的弯曲的压力感测电路，以及与所述压力感测电路耦合的IC接口。
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公开(公告)号：CN205194698U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201520946630.8
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请涉及集成电路。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。根据本实用新型的方案，可以提供一种能够减小/消除平面应力影响的改进的集成电路。
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公开(公告)号：CN205049266U
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201520778734.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·帕加尼
IPC: G01L1/00
CPC classification number: G01L25/00 , G01L1/16 , G01L1/2206 , G01L1/26
Abstract: 本公开涉及压力传感器与测试器件。压力传感器用于定位在结构内。压力传感器可以包括具有响应于弯曲的压力传感器电路和耦合到压力传感器电路的收发器电路的压力传感器集成电路(IC)。压力传感器可以包括在其中具有凹陷、耦合到压力传感器集成电路IC的支撑体，使得压力传感器集成电路IC在压力传感器集成电路IC受到外部压力时向凹陷内弯曲。
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