公开(公告)号：CN102971837A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180016212.3

申请日：2011-02-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·F·郑 ,  J·扬岑 ,  D·帕德希 ,  金秉宪

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0273 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，特别是关于氮掺杂的非晶形碳层与用于在半导体衬底上沉积氮掺杂的非晶形碳层的工艺。在一个实施例中，提供在衬底上形成氮掺杂非晶形碳层的方法。所述方法包含以下步骤：将衬底定位在衬底处理腔室中；将含氮碳氢化合物源导入所述处理腔室；将碳氢化合物源导入所述处理腔室；将等离子体引发气体导入所述处理腔室；在所述处理腔室中生成等离子体；以及在所述衬底上形成氮掺杂非晶形碳层。

公开(公告)号：CN101523357B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200780037481.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  E·Y·朱科 ,  M·阿优伯 ,  H-J·金 ,  K·杰纳基拉曼 ,  S·拉蒂 ,  D·帕德希 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  A·阿巴亚缇 ,  D·R·威蒂 ,  H·姆塞德 ,  A·巴利施尼科夫 ,  C·陈 ,  S·刘

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供用以监测与维持等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理基板的方法，所述方法至少包含：将基板定位在静电夹具上；施加RF功率于静电夹具中的电极以及反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的虚拟阻抗。