公开(公告)号：CN110235221A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201780084149.4

申请日：2017-12-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴加夫·西特拉 ,  刘菁菁 ,  华忠强 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开内容的实施方式一般描述用于使用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)处理在基板之上(包含先前形成在基板之上的层的上方)沉积非晶碳层的方法，且特别地，在沉积处理期间的基板的偏压及将除了惰性气体之外的氮源气体和/或氢源气体流动进入处理腔室，以改良沉积非晶碳层的形态与膜应力。

公开(公告)号：CN109478529A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043746.2

申请日：2017-06-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  怡利·Y·叶 ,  华钟强

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/513

Abstract: 描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接到电极；和介电层，所述位于基板之上，以将电极与工件隔离。

公开(公告)号：CN106660270A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580038113.3

申请日：2015-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡提克·雷马斯瓦米 ,  阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  卡斯拉曼·克里沙南 ,  珍妮弗·Y·孙 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  托马斯·B·布里泽哲科 ,  克里斯多夫·A·罗兰 ,  西蒙·亚沃伯格 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  怡利·Y·叶 ,  胡·T·额

IPC: B29C64/153 ,  B29C64/268 ,  B29C64/386 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02

CPC classification number: B22F3/1055 ,  B22F1/0003 ,  B22F2003/1051 ,  B22F2003/1057 ,  B22F2202/13 ,  B22F2301/205 ,  B22F2998/10 ,  B23K10/006 ,  B23K10/027 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/342 ,  B23K26/702 ,  B23K2103/14 ,  B28B1/001 ,  B29C64/153 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02 ,  G05B2219/49007

Abstract: 增材制造系统包含：工作台；供给材料分配装置，该供给材料分配装置经构造以输送供给材料覆盖该工作台；激光器，该激光器经构造以产生激光束；控制器，该控制器经构造以引导该激光束至储存于电脑可读取介质中的数据所规定的位置处以造成该供给材料熔融；及等离子体源，该等离子体源经构造以产生离子，这些离子被引导至该工作台上与该激光束实质相同的位置。

公开(公告)号：CN106536093A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038111.4

申请日：2015-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡提克·雷马斯瓦米 ,  阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  卡斯拉曼·克里沙南 ,  珍妮弗·Y·孙 ,  托马斯·B·布里泽哲科 ,  克里斯多夫·A·罗兰 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  西蒙·亚沃伯格 ,  怡利·Y·叶 ,  胡·T·额

IPC: B22F1/00 ,  B22F3/105 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02

Abstract: 增材制造系统包含：工作台；供给材料分配装置，该供给材料分配装置经构造以输送供给材料至该工作台上；激光源，该激光源经构造以在使用该增材制造系统期间产生激光束；控制器，该控制器经构造以引导该激光束至工作台上电脑辅助设计程序所规定的位置处以造成该供给材料熔融；气源，该气源经构造以供应气体；及喷嘴，该喷嘴经构造以加速及引导该气体至该工作台上与该激光束实质相同的位置。

公开(公告)号：CN208622687U

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201821167081.4

申请日：2017-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  华仲强 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  库马尔·尼兰詹 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。

公开(公告)号：CN207731910U

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201721378214.8

申请日：2017-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  华仲强 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  库马尔·尼兰詹 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67248

Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利