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公开(公告)号：CN101230450B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710120872.1
申请日：2007-08-28
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法，采用溅射法在经过标准RCA清洗过程后的Si片沉积100nm厚的Pt，随后将镀铂的Si片在管式炉中200-500℃退火1小时作为衬底，随后对满足化学剂量比(Ba+Sr＝1)的BST陶瓷靶预溅射24小时，随后在Ar∶O2＝1.5-1，总压10-100mTorr，衬底温度为550-700℃，靶和基片的距离为40-80mm的条件下，采用射频溅射法沉积220nm厚的BST介电陶瓷薄膜，溅射完毕后，在总压为2×103-5×104Pa的氧气气氛下缓慢冷却到室温。本发明制备的介电陶瓷薄膜，在直流电场下具有近50％的可调性，介电常数达680以上，介电损耗为1.5％，室温下，450kV/cm的场强时漏电流仅为10-8A/cm2数量级。
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公开(公告)号：CN101265125A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810104411.X
申请日：2008-04-18
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法，本发明主要采用传统的陶瓷烧结技术将10～20％摩尔的氧化铪掺杂到氧化铈中，在1400℃下高温烧结，得到相应的氧化铪掺杂氧化铈陶瓷靶材，随后采用激光脉冲沉积技术，在经过标准RCA清洗过程后的n型Si片上沉积氧化铈掺杂氧化铪薄膜。本发明制备的氧化铈掺杂氧化铪介电陶瓷薄膜为单晶薄膜，与衬底材料的取向关系为(111)HDC//(001)Si和[110]HDC//[110]Si；并且具有非常小的漏电流密度，适于做高κ栅介质使用。
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公开(公告)号：CN100373652C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410102757.8
申请日：2004-12-28
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n-SnO2-x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd-Ni层，形成Pd-Ni/SnO2复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd-Ni/SnO2复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。
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公开(公告)号：CN100341648C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410090637.0
申请日：2004-11-10
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： B22F9/04
摘要： 一种装饰用微米级球形金粉的制备方法，该方法包括下述步骤：(1)将金粒加入到5～7倍重量的王水溶液中溶解，配置成氯金酸溶液，并通过蒸发去除溶液中多余的硝酸；(2)按FeSO4·7H2O∶去离子水＝1∶3～5的重量比配置FeSO4溶液；(3)在步骤(1)中经去除硝酸得到的金溶液中加入NaOH溶液调整pH值为3～5，将FeSO4溶液缓慢加入该金溶液中，直至反应完全；(4)去除步骤(3)得到的溶液中反应尾液，再用去离子水和无水乙醇清洗，去除乙醇，烘干粉末，然后对粉末进行研磨分散处理，再加入酒精，放入超声仪内进行超声分散处理，最后去除乙醇烘干粉末后得到金粉。按此方法制备的金粉颗粒度较细，且粒度分布比较均匀，色泽光亮。
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公开(公告)号：CN105780068B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201410782121.6
申请日：2014-12-16
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种单脉冲电沉积Ni‑Fe合金磁性镀层的方法，在含有镍离子和铁离子的电镀液中，以可溶性镍铁合金为阳极，以经表面处理的铝合金为阴极，采用单脉冲电沉积法制备Ni‑Fe合金镀层；其中，电沉积时间为1‑4h，脉冲电流密度为3A/dm2，占空比分别为0.2、0.3、0.4或1，周期为1ms。该方法制得的Ni‑Fe合金镀层表面光洁，结构紧密，结晶细致、均匀，平整性好，无裂纹，得到Fe含量稳定的Ni‑Fe合金镀层，通过调整脉冲电镀参数，得到具有磁性能较好的磁性镀层，并在静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN105397092B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510779737.2
申请日：2015-11-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： B22F7/06
摘要： 本发明涉及一种高体积分数铝基复合材料的表面防腐处理方法，首先将铝基复合材料放入带有除气管的纯铝包套中，封焊纯铝包套，对纯铝包套内部抽真空后封口，然后采用热等静压实现纯铝包套和铝基复合材料的扩散粘接，再通过机加工去除除气管和纯铝包套表面氧化层，露出纯铝包套的新鲜表面，最后采用传统电镀工艺在新鲜表面电镀一层金属防腐层。本发明通过在材料表面扩散粘接一层铝，获得了良好的改性过渡层，该过渡层与复合材料能够达到冶金结合，具有良好的结合力，同时也为后续实施电镀金属防腐层提供了条件；本发明有效解决了高体积分数铝基复合材料因添加相含量较高导致的腐蚀防护难题，可实现高体积分数铝基复合材料在腐蚀环境下的可靠应用。
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公开(公告)号：CN106756668A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611208025.6
申请日：2016-12-23
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： Y02P10/253 , C22F1/04 , C21D1/10 , C21D1/74 , C22F1/18
摘要： 本发明属于表面热处理技术领域，具体涉及一种钨铝复合材料的表面改性方法。本发明通过高频感应加热炉对钨铝复合材料进行表面热处理，使材料表面形成钨铝合金间化合物保护层，该保护层致密度良好，不存在明显的孔洞或裂纹。本发明的改性方法提高了钨铝复合材料表面的耐磨性和耐腐蚀性，可满足钨铝复合材料在复杂环境下的应用。
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公开(公告)号：CN106601906A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611095501.8
申请日：2016-12-02
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种InP阻变存储材料的制备方法和应用，属于微电子制造技术领域。所述制备方法包括以下步骤：1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；3)将脉冲激光设备腔体内抽真空；4)加热基片；5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；6)将沉积了InP薄膜的基片在真空条件下600～800℃退火，冷却后得到InP阻变存储材料。InP阻变存储材料具有良好存储特性，基于该存储材料制备的阻变存储器具有存储窗口宽，数据保持时间长，耐久性高的特点。
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公开(公告)号：CN106571280A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610964656.4
申请日：2016-11-04
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01J7/18
CPC分类号： H01J7/183
摘要： 本发明提供了一种无污染高孔隙度钛基吸气元件的制备方法，属于电真空吸气元件制造技术领域。以钛为基体的原料粉末在混料机上混合均匀，将混合均匀的原料粉末与NH4HCO3按照一定的比例混合均匀，完成后采用模压或冷等静压成型方法形成压坯件，将压坯件在真空状态下进行低温预处理，冷却后在高真空烧结炉内进行高温烧结，降温出炉后制备成孔隙度高于50％的真空吸气元件。该工艺方法优点在于过程简单易操作，吸气元件制备过程中没有有机粘结剂的存在，干净无污染，而且吸气材料选择范围广，吸气元件孔隙度高，吸气性能优良。
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公开(公告)号：CN106299111A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510349432.8
申请日：2015-06-23
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底；(2)采用物理气相沉积法形成底电极；(3)采用磁控溅射法沉积初始低阻态存储功能层；原子层沉积法形成初始高阻态存储功能层；(6)采用物理气相沉积法形成顶电极。本发明的阻变存储器具有免电激活特性，适用于具有交叉阵列结构的3维高密度集成的阻变存储器件。(4)采用物理气相沉积法形成中间电极；(5)采用
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