公开(公告)号：CN1193218C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN03104784.X

申请日：2003-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张威 ,  张大成 ,  刘蓓 ,  李婷 ,  王阳元

IPC: G01L9/06

Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片，是一个杯状结构，包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻，组成点桥来敏感压力的变化，所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的，压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区，感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻，精度远高于以往采用的扩散工艺，可以提高压阻的控制精度及一致性，减小零点输出和零点温度漂移；压阻周围增加一圈n+隔离区，提高了芯片的长期稳定性；膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记，使腐蚀敏感膜的可控性增强，提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。

公开(公告)号：CN1540386A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN03127940.6

申请日：2003-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  张威 ,  李婷 ,  田大宇 ,  刘蓓 ,  罗葵 ,  王颖 ,  李静 ,  王兆江 ,  王阳元

IPC: G02B26/08 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。

公开(公告)号：CN1438544A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03104780.7

申请日：2003-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  李婷 ,  邓珂 ,  田大宇 ,  李静 ,  王玮 ,  王兆江 ,  王阳元

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面(X－Y二维平面)内做出不同的图形结构，在垂直于硅片表面的(Z轴)方向也能够实现可控的折线加工。是一种微硅结构的三维加工技术。突破了以往深刻蚀只能刻出垂直侧壁深槽的限制，实现垂直方向上的多层台阶结构。这项新技术将硅微机械结构加工从简单的平面图形立体化延伸推向了真正的三维立体化，为MEMS技术的发展提供了一种全新的加工手段。与现有的硅工艺完全兼容。可广泛应用于微电子机械技术领域。

公开(公告)号：CN119024639A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411005471.1

申请日：2024-07-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 苑世洋 ,  刘鹏 ,  张大成 ,  李婷 ,  杨芳 ,  华璇卿 ,  于志恒 ,  陈艺 ,  麦倡源 ,  李佳康 ,  周佳伟

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G01B11/00 ,  G01T1/29

Abstract: 本发明公开了一种电子束斑的片上表征方法，属于微纳加工技术领域。本方法通过制造束斑表征芯片，使用电子束在芯片的悬空薄膜测试区上以不同曝光剂量写入测试版图图形，获取多组曝光重叠数据；建立驻留时间、曝光重叠与光刻胶灵敏度的函数关系，并进行非线性最小二乘法拟合得到束斑高斯函数的参数；将得到的参数代入电子束斑高斯函数中，得到电子束斑的尺寸和剂量分布。本方法操作简单，与电子束光刻工艺环境兼容性好，准确度高。

公开(公告)号：CN112812179B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110070483.2

申请日：2021-01-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩文玲 ,  李婷 ,  马大龙 ,  刘琪瑶 ,  张凯 ,  郭子夏 ,  李忠武 ,  杨璐晶 ,  金容 ,  彭智 ,  沈琳 ,  王平章 ,  莫晓宁

IPC: C07K16/18 ,  C12N15/13 ,  C12P21/08 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00 ,  G01N33/68 ,  G01N33/577 ,  G01N33/574

Abstract: 本发明提供了一种高特异性高亲和力的抗人CMTM6单克隆抗体；以及所述CMTM6抗体用于医学基础研究、肿瘤进展和预后诊断的用途、及协助选择治疗方案的用途。

公开(公告)号：CN112812179A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110070483.2

申请日：2021-01-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩文玲 ,  李婷 ,  马大龙 ,  刘琪瑶 ,  张凯 ,  郭子夏 ,  李忠武 ,  杨璐晶 ,  金容 ,  彭智 ,  沈琳 ,  王平章 ,  莫晓宁

IPC: C07K16/18 ,  C12N15/13 ,  C12P21/08 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00 ,  G01N33/68 ,  G01N33/577 ,  G01N33/574

Abstract: 本发明提供了一种高特异性高亲和力的抗人CMTM6单克隆抗体；以及所述CMTM6抗体用于医学基础研究、肿瘤进展和预后诊断的用途、及协助选择治疗方案的用途。

公开(公告)号：CN106477517B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510551503.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  何军 ,  张立 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种表征硅片表面粗糙度的方法，通过测特定条件下的电流值来表征硅片表面的粗糙度。此方法具备方法简单、不需要大型高精密仪器的优点，有利于MEMS加工环境中的现场测量。

公开(公告)号：CN104729919B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510108879.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统，利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统，提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；具备施加大负载的能力(mN以上的力)，满足各种测量要求；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN105547533A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510903317.0

申请日：2015-12-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  王玮 ,  张大成 ,  黄贤 ,  何军 ,  张立 ,  李婷 ,  罗葵 ,  王颖 ,  姜博岩

IPC: G01L1/18

CPC classification number: G01L1/18

Abstract: 本发明公开了一种压力计芯片结构及其制备方法，该结构相比传统典型结构具有尺寸小，稳定性好、抗过载能力强和长期可靠性高等突出优势。此外针对该芯片结构开发的工艺流程与常规微纳加工技术兼容，器件加工成本低廉，芯片可实现较高的一致性。这种方法加工的压力计芯片具有更高的长期工作稳定性和抗过载破坏性能、较高的工艺可靠性，更小的芯片尺寸和成本以及更广阔的应用领域。

公开(公告)号：CN102963859B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210451765.8

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。