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公开(公告)号：CN1127138C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN00124752.2
申请日：2000-09-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及用于微机电系统低温真空封焊的真空封装设备的外壳，以及相应的封装方法。本发明结合微电子技术与真空电子技术各自的特长，对传统混合集成电路所采用的金属管壳进行了局部的改进，设计低成本的微机电系统真空封装管壳，并且相应改变了低温钎焊方法和吸气剂激活方法。从而实现了简便实用的微机电系统真空封装，可广泛应用于微陀螺等微机电系统的封装。
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公开(公告)号：CN119067185A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411097118.0
申请日：2024-08-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明一种高效的强化学习的训练加速系统及方法，属于强化学习的加速领域。本发明一种强化学习的训练加速系统包括在CPU上的软件系统和在FPGA上的硬件系统；在该系统上实现的强化学习的训练加速方法，完成并行m个环境的强化学习训练过程中一个计算步step的计算包括：CPU端数据预处理，CPU端发送数据给FPGA，FPGA端对收到的数据进行缓存，FPGA端做环境的并行计算和计算结果缓存，CPU端从FPGA端读取计算结果数据，CPU端解包结果数据用于更新训练模型；该方法运用本地存储技术，流水线技术和时分复用技术使，提升了运算速度，实现了强化学习环境更新的硬件加速；采用模块化和参数化设计，通用性强；通过加速强化学习的环境更新这部分，最终加速了强化学习的训练过程。
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公开(公告)号：CN118366870B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
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公开(公告)号：CN112216784B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910627340.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法，所述晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、电性连接层及焊接部。基板组件包含第一晶圆及第二晶圆，第二晶圆覆盖第一晶圆上的凹槽而界定出中空腔体。超声波元件与中空腔体的投影叠合。第一保护层围绕超声波元件。第一晶圆、第二晶圆、第一保护层在第一侧表面与第一导电线路共平面，在第二侧表面与第二导电线路共平面。第二保护层具有开口，传导材料在开口内且接触超声波元件。电性连接层设置于第一侧表面及第二侧表面，焊接部连接电性连接层。
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公开(公告)号：CN118366943A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796592.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118366870A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
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公开(公告)号：CN114038909B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111235786.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L27/085 , H01L21/8252 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了增强型氮化镓功率器件及其制备方法，该增强型氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、势垒层，势垒层包括设于缓冲层上相互隔离的第一子势垒层和第二子势垒层；第一源极、第一漏极和第一栅极，第二源极、第二漏极和第二栅极，从而形成高压耗尽型GaN HEMT和低压增强型GaN HEMT并级联形成cascode结构。以低压增强型GaN凹栅HEMT代替Si MOSFET，从而可以在器件上同时实现HV GaN MIS‑HEMT和LV GaN MIS‑FET，采用D‑mode高压GaN MIS‑HEMT保持漏端高压，E‑mode低压GaN FET驱动栅端，降低了寄生效应，提高了性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN117933417A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410024035.2
申请日：2024-01-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于强化学习的数据处理系统及方法，包括：模型构建模块，用于针对待处理数据进行强化学习建模，确定动作空间及其价值函数、策略类型；强化学习决策模块，用于获取强化学习模型中的各个动作及其对应的价值、策略类型以及预设精度要求，并利用硬件电路实现快速决策；输出模块，用于将决策结果输出，得到待处理数据的处理结果。本发明通过硬件实现随机策略选择，能够在硬件中并行进行保留精确度，利用率和探索度的策略选择，提升了运算速度，因此，本发明可以广泛应用于数据处理领域。
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公开(公告)号：CN111403591B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811530871.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H10N30/87 , H10N30/50 , H10N30/30 , H10N30/01 , H10N30/057
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级超声波芯片组件及其制造方法，其中晶圆级超声波芯片组件包含晶圆基板、超声波元件、第一保护层、导电线路、第二保护层、传导材料、特用芯片、导电柱及焊接部。晶圆基板包含贯通晶圆基板的贯通槽。超声波元件曝露于贯通槽。导电线路位于第一保护层上，并连接超声波元件。第二保护层覆盖导电线路，第二保护层具有对应于超声波元件的开口。传导材料接触超声波元件。特用芯片连接晶圆基板，使贯通槽在特用芯片及超声波元件间形成空间。导电柱设置于贯穿特用芯片、晶圆基板及第一保护层的穿孔中，并分别连接导电线路及焊接部。
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公开(公告)号：CN108733869B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810252274.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392
Abstract: 本发明涉及一种大规模三维集成电路分区方法和装置。该方法首先进行均匀分区，包括：对三维集成电路进行热导率等效处理，并进行有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；比较直接细节仿真计算和等效热导率的计算结果，偏差超过设定的阈值则对各电路层进行均匀分区，然后再次进行热导率等效处理和有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；重复以上步骤，进行第二次或更多次均匀分区，各次均匀分区的分区数量递增，直至等效热导率仿真精度达到要求。在均匀分区基础上，进行树状分区和导热通路场修正的均匀分区。本发明的集成电路分区方法大大降低了仿真计算的计算成本，三种分区方法提高了计算精度同时也减少了计算资源的消耗。
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