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公开(公告)号：CN1929090A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610110151.8
申请日：2006-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/7813 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。
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公开(公告)号：CN1275335C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02142450.0
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN1734719A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088295.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B25/08 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 本发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1－xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2－0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1－xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm－1或更小。
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公开(公告)号：CN1721584A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200410069892.7
申请日：2004-07-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 一种生产氮化物单晶的方法包括在氮化物晶体(11)的表面上形成含有稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)的步骤和和使种晶(13)、和材料运输介质层(12)接触在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)的步骤。材料运输介质层(12)包含稀土元素的化合物和选自由铝化合物、碱土化合物和过渡金属化合物组成的组中至少一种化合物。用这个生产方法，得到晶体尺寸至少为10mm的大的氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN1701447A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000800.8
申请日：2004-05-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 中畑成二
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有增加的发光量而没有改变其尺寸的发光装置。发光装置的特征在于在凸凹衬底1的凸凹表面1a上形成半导体层30。可以这样构造本发明的发光装置，以便凸凹衬底和半导体层都是由AlxGayIn1－x－yN(0≤x，0≤y，x+y≤1)制成的；形成所述的凸凹衬底的凸凹表面的每个平面具有至少一个选自(11－2L)和(1－10L)中的平面指数，其中L表示1至4的整数；且在形成所述的凸凹衬底的凸凹表面的每个平面与基准平面之间形成的角度为35°至80°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1368486A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01121735.9
申请日：1996-11-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/584 , C04B35/64 , C04B35/632 , C04B35/591
CPC classification number: C04B35/591
Abstract: 涉及一种由淤浆状硅基组合物制备的Si3N4陶瓷,所述的淤浆状硅基组合物基本上由表面氧化膜厚度在1.5到15nm范围的Si粉末、50到90%重量的水、0.2到7.5%重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3%重量的分散剂组成,其中烧结助剂是选自IIa族、IIIa族和稀土元素的化合物中的至少一种,所说的陶瓷具有至少96%的相对密度和至少800MPa的弯曲强度。还涉及一种该Si3N4陶瓷的制备工艺。
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公开(公告)号：CN1059652C
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN95191835.4
申请日：1995-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/591
CPC classification number: C04B35/591
Abstract: 本发明缩短了制造氮化硅烧结体时反应烧结中的氮化时间，从而提高了生产率；并且通过反应烧结得到致密且高强的氮化硅烧结体。Si3N4烧结体的未配对电子浓度为1015～1021/cm3。市售Si粉末在非氮气气氛中于300～800℃下煅烧3～5小时得到未配对电子浓度为1015～1020/cm3的Si粉末，使用所得的Si粉末进行反应烧结得到氮化硅烧结体。特别是，在所得的Si粉末中添加烧结助剂的同时添加价态尤其为+1～+3价且其共价键半径RM与Si的共价健半径RSi之间有(RM-RSi)/RSi＜0.5的关系的元素或其化合物作为氮空位形成剂，并把所得的混合体进行反应烧结制造出Si3N4烧结体。
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公开(公告)号：CN108281378B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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公开(公告)号：CN110042471B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910130397.9
申请日：2015-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B25/04 , C30B25/16 , C30B25/18 , H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
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公开(公告)号：CN108281378A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762 , B32B7/04
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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