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公开(公告)号：CN113095015A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110500919.7
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/34 , G06F115/10
Abstract: 本发明的SFQ时序电路综合计算方法、系统以及终端，分别对SFQ逻辑门状态机的状态机描述分别进行解释以及编译获得该状态机的状态转移集合信息，并对所述状态转移集合信息分解为一或多个子状态机，并将各子状态机与SFQ逻辑单元库中的各单元门进行映射，并基于各子状态机的映射结果，对各子状态机进行重组，以获得SFQ时序逻辑电路结构。本发明利用了SFQ逻辑门自有的优势，直接完成从SFQ逻辑门状态机到SFQ时序电路的逻辑映射，减少了中间模拟CMOS逻辑门、组成CMOS时序状态机的两步操作，提高了SFQ时序电路的逻辑综合成功率以及对SFQ单元库的利用率，使SFQ时序电路的大规模自动化设计更加高效，并解决现有技术的问题。
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公开(公告)号：CN113030709A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110367795.X
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种超导高频测试系统和方法，先接收触发脉冲信号，输出周期性的高频时钟信号；对高频时钟信号的连断性进行控制，输出高频控制时钟信号；接收初始信号为线性反馈移位寄存器设置非零初始状态，基于高频控制时钟信号同时输出多路预设周期长度的周期性的伪随机序列；待测电路接收多路伪随机序列，输出多路测试信号；接收所述多路测试信号，基于低频时钟信号输出多路转换信号；将多路转换信号与预期的输出结果进行对比，确定待测电路是否正常工作。本发明电路结构相对比较简单；输入信号是基于线性反馈移位寄存器生成的伪随机序列，可以实现持续性的高频测试，更符合待测电路的实际工作情况。
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公开(公告)号：CN110346040B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810288158.1
申请日：2018-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种宽谱微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；超导纳米线，位于衬底的表面；超导纳米线包括若干个平行间隔排布的直线部及位于相邻直线部之间以将各直线部依次首尾连接成曲折蜿蜒状的连接部；直线部的长度介于100μm~200μm；微纳光纤，位于衬底上，且横跨超导纳米线；光学胶，位于衬底上，且固化包覆于超导纳米线及所述微纳光纤的外围；光学胶具有预设折射率范围，以防止微纳光纤中的入射光泄露至光学胶及衬底。本发明的宽谱微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器可以实现对从可见光到近红外光较大范围波长的光均具有较高光吸收率，具有探测波长范围广、探测效率高及结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN110631717B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910877513.3
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种基于辅助曝光结构的超导纳米线单光子探测器光对准方法，包括：超导纳米线单光子探测器；若干个辅助曝光纳米线结构，位于超导纳米线单光子探测器外围，且贴置于超导纳米线单光子探测器的光敏面外边缘；辅助曝光纳米线结构用于入射光与超导纳米线单光子探测器的光敏面的光对准。传统的纳米线辅助曝光结构有助于加工得到线宽较均匀的纳米线，但其不构成单光子探测器件。本发明把中心区域周围的辅助曝光结构加以利用，设计成多个单光子探测器，可以通过外围探测器的光计数反馈定位光斑的位置，从而进行光斑与中心区域的对准。
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公开(公告)号：CN109560189B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201710883862.7
申请日：2017-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁通超导探测器及制备方法以及超导探测方法，制备方法包括：提供衬底，于衬底表面形成第一超导材料层；于第一超导材料层表面形成图形化的光刻胶层；刻蚀掉预设区域的第一超导材料层，保留剩余光刻胶层；于得到结构的正面及侧面覆盖一层绝缘材料层；于绝缘材料层表面形成第二超导材料层，且与第一超导材料层上表面相平齐；得到第一超导材料层和第二超导材料层中被植入至少一条绝缘夹层的结构；于上述结构表面形成超导纳米桥结。通过上述方案，本发明的磁通超导探测器的有效探测尺寸做的更小，最小可测磁矩小，提高了磁矩灵敏度及空间分别率，减小器件对背景磁场的影响，可在第一个磁通偏置内，依据临界电流获得磁通变化信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110148664B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910394198.9
申请日：2019-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结的制备方法，包括：于基底上外延生长第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；刻蚀三层薄膜结构定义出底电极，刻蚀第一绝缘材料层及第二超导材料层定义出结区；于器件表面沉积第二绝缘材料层，第二绝缘材料层的厚度大于三层薄膜结构的厚度，去除结区上表面凸起的第二绝缘材料层；平坦化第二绝缘材料层，使其上表面与结区的上表面平齐；于第二绝缘材料层表面生长金属薄膜，并刻蚀形成旁路电阻；于器件表面生长第三超导材料层，并刻蚀形成电极引出结构。本发明通过缩小结区和其它位置减薄速率的差别，提升器件表面的平坦度；通过化学机械抛光避免弱连接；大大提高器件质量。
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公开(公告)号：CN112068047A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010962027.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法，器件结构包括衬底、第一金属层，绝缘结构层，第一金属层及金属屏蔽壳盖之间为超导量子干涉器件的结构区，该结构区其主要包括约瑟夫森结区、势垒层、自感环路和引线结构、配线层、输入线圈、反馈线圈和引线电极等。本发明可以提高超导量子干涉器件抗干扰能力，减小超导量子干涉器件的封装体积，提高使用系统集成度。本发明的屏蔽壳仅百微米量级，其本征谐振频率和低频截止频率远高于超导量子干涉器件工作点，避免对器件的影响。此外，集成屏蔽壳采用金属层，可以损耗约瑟夫森结高频辐射，在器件阵列中增加了相邻器件之间的隔离，避免相互串扰。
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公开(公告)号：CN111969100A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010871234.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TaN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属TaN势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属TaN势垒层，得到SNS结构约瑟夫森结，可以提高势垒层电阻率的稳定性，无需并联电阻，解决了SIS约瑟夫森结磁通噪声及集成度的问题，提高了工艺重复性以及稳定性，势垒层材料的电阻率及厚度等可通过离子氮化时间及功率等参数自由调控，有效避免了S/N界面处绝缘层的形成，表面平整度高及氮化均匀性好，改善了SNS结的特征电压IcRn很小，限制了器件的高频应用的缺陷，有利于高质量NbN SNS约瑟夫森结的研发。
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公开(公告)号：CN111953308A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010849447.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F7/00
Abstract: 本发明提供一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法，所述制备方法包括：于衬底表面形成Nb/Al-AlOx/Nb叠层结构；刻蚀Nb/Al-AlOx/Nb叠层结构以形成共面波导谐振腔结构、泵浦线结构、地线结构、信号输入配线结构及泵浦输入配线结构，共面波导谐振腔结构中形成有Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结；于上述结构表面形成绝缘层，刻蚀绝缘层以形成约瑟夫森结过孔、接地过孔、输入信号引脚过孔及泵浦输入引脚过孔；于上述结构表面形成超导薄膜层，刻蚀超导薄膜层以将约瑟夫森结过孔和接地过孔电连接，同时于接地过孔中形成接地引脚、于输入信号引脚过孔中形成输入信号引脚、于泵浦输入引脚过孔中形成泵浦输入引脚。
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公开(公告)号：CN111933349A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010838618.0
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温超导薄膜，包括：n层电隔离层及n+1层超导材料层，所述超导材料层与所述电隔离层依次交替叠置；通过改变各超导材料层的厚度调整所述低温超导薄膜的超导转变温度，所述低温超导薄膜的总厚度在相干长度比拟范围内；其中，各超导材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。本发明的低温超导薄膜基于多层超薄的超导材料层及电隔离层调控低温超导薄膜的转变温度，通过调整单层超导材料层的厚度得到不同转变温度的超导材料，调控精度高、操作简单；本发明的低温超导薄膜的超导转变温度原则上与单层超导薄膜的转变温度一致，从而远小于体超导或较厚超导薄膜的转变温度。
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