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公开(公告)号：CN105405965B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510908225.1
申请日：2015-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。涉及半导体技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—h‑BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h‑BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外石墨烯与金属电极之间采用一维线接触的方式连接，将大大降低器件的接触电阻及功耗。
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公开(公告)号：CN104562195B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310496579.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。
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公开(公告)号：CN104192835B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410466181.7
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的影响，能有效避免相邻存储单元工作时的串扰问题。本发明的石墨烯闪存存储器的工艺简单，操作简便，在低功耗下便能实现石墨烯闪存存储器数据快速的写入擦除及读取功能。
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公开(公告)号：CN104312588B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410466562.5
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硒掺杂碳量子点的制备方法，包括：(1)制备氧化碳量子点粉体；(2)将上述氧化碳量子点粉体分散于溶剂中，得到氧化碳量子点溶液；(3)在氧化碳量子点溶液中加入含硒掺杂剂，50～500℃下溶剂热反应0.5～180h，得到硒掺杂碳量子点。本发明得到的硒掺杂碳量子点具有高量子产率、结构简单、易于制备、成本低廉、可批量生产、稳定性高、生物毒性低、相应迅速灵敏度极高等特点。
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公开(公告)号：CN103943512B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410189193.X
申请日：2014-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退火，使所述金属催化层团聚形成催化颗粒，所述氢气沿着所述催化颗粒的边缘与石墨烯及BN反应，在石墨烯及BN表面形成锯齿状结构的孔洞；形成源、漏金属电极、栅介质层以及栅极。本发明采用金属催化层刻蚀石墨烯，在氢气氛围下退火的过程中，金属催化层团聚形成小的颗粒，氢气沿着颗粒的边缘刻蚀BN/石墨烯表面，形成具有Zigzag边缘结构的孔洞，并能与随后沉积的源、漏金属电极形成极强的化学键，使金属电极与石墨烯接触更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070347A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510504332.8
申请日：2015-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h-BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外采用石墨烯作为接触电极，沉积金属与石墨烯截面形成一维的线接触，将大大降低超导/半导体器件的接触电阻。
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公开(公告)号：CN104894639A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510316129.8
申请日：2015-06-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B25/02 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边微区结构的电阻，使所述窄边微区结构产生高温；接着，通入反应源，调节背栅电压，使石墨烯加热到材料生长需要的温度，实现石墨烯微区加热的原位材料生长。本发明基于石墨烯场效应管的微区加热原位生长材料方法操作简单，可以实现基于不同尺寸的微区高温加热的前提下，原位生长半导体材料，材料生长区域形状可控。另外，微区加热原位生长材料的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，便于大规模阵列及图形化制备，均匀性好。
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公开(公告)号：CN103011142B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210559935.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：在催化剂存在下，六卤代苯在有机溶剂中发生反应，形成石墨烯的悬浮溶液；经过滤、洗涤和干燥除去悬浮溶液中的溶剂和未反应的六卤代苯，得到石墨烯和催化剂的混合物；混合物经酸洗后再过滤、洗涤和干燥，即得到石墨烯产品；该方法仅用一种有机化合物六卤代苯为原料，根据反应的温度不同，可以控制石墨烯的层数，制得的石墨烯产品即可制备石墨烯器件，其制备方便、后处理简单，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN103245424B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210024730.6
申请日：2012-02-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置，所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树；所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口；所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连，SNSPD器件的另一端接地；所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为：在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。本发明操作简单，不改变器件结构，不需要增加滤波电路或屏蔽，仅需并联适当阻值的电阻就能提高系统抗电干扰能力，成本低；不改变探测电脉冲信号的形状、幅度与宽度；不会形成反射脉冲从而影响器件性能；不影响探测系统的暗计数率及量子效率。
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公开(公告)号：CN102994976B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110266477.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法，提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底，它包括：金属基底，所述金属基底为低溶碳金属M1，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中0＜x＜0.5；采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜，所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中1＞x＞0.5；其中，M1为Cu，M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯，以及它们的制备方法。
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