公开(公告)号：CN104562195B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310496579.0

申请日：2013-10-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  唐述杰 ,  卢光远 ,  吴天如 ,  姜达 ,  丁古巧 ,  张学富 ,  谢红 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/00 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。

公开(公告)号：CN104562195A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310496579.0

申请日：2013-10-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  唐述杰 ,  卢光远 ,  吴天如 ,  姜达 ,  丁古巧 ,  张学富 ,  谢红 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/00 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/02 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。