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公开(公告)号：CN102593350A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110020727.2
申请日：2011-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。
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公开(公告)号：CN102412179A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201010289920.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L45/00
CPC classification number: H01L21/76205 , H01L21/76224 , H01L27/0814
Abstract: 本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成位线间的隔离，最后在深沟道和浅沟道隔离围成的区域通过离子注入的方法形成独立的二极管阵列单元。本发明还提出了基于上述双浅沟道隔离的外延二极管阵列的相邻字线和位线间串扰电流的抑制方法。本发明可用于二极管驱动的高密度大容量存储器，如相变存储器、电阻存储器、磁性存储器和铁电存储器等；其方法与传统的CMOS工艺完全兼容，二极管阵列在外围电路形成之前完成，其热制程不会造成外围电路的漂移，解决了实现高密度、大容量、嵌入式相变存储器的技术难题。
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公开(公告)号：CN101436607B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810207813.2
申请日：2008-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C11/56
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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公开(公告)号：CN102148329A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110026033.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN102034804A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010512040.6
申请日：2010-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/065 , H01L27/115 , H01L21/98 , G11C16/02
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101980109A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010528933.X
申请日：2010-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种无线操控显示系统，包括显示装置、无线操作装置；显示装置包括显示单元、计算机系统、传感器；传感器能够感知和反馈到来自于无线操作装置的光信号，传感器将来自于无线操作装置的操作信号反馈回计算机系统，形成对显示装置和集成计算机系统的非接触式操作；无线操作装置至少包含非触摸控制单元，非触摸控制单元包括定位部分和操作部分；由定位部分来定位所需选择的选项和所需操作的位置；由操作部分来点击选项、进行操作，实现非接触式控制和操作。本发明通过光信号点击装置实现带有传感器阵列显示装置的操作，传感器将操作反馈到计算机系统，实现对显示系统的全方位操作，有望在智能电视系统中获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101582485B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910053119.4
申请日：2009-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb2Se3)100-xYx，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb2Se3)100-xYx存储材料不仅保留了Sb2Se3存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb2Se3存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb2Se3)100-xYx存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
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公开(公告)号：CN101826546A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010141273.X
申请日：2010-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级侧壁限制的电阻转换存储器单元及其制造方法，该存储器单元结构，包括：上电极、下电极、以及分别与上电极和下电极相接触的存储单元，在所述存储单元周围设有绝缘材料将其隔离，所述存储单元在平行于电极方向的横截面为平行四边形，且所述平行四边形的其中一边长为另一边长的1.5倍以上，所述存储单元与所述一电极的接触面积等于或大于其与所述另一电极的接触面积。本发明通过绝缘侧壁限制了存储单元的体积，有效地缩小了存储单元与电极的接触面积，降低了功耗，而且绝缘侧壁对存储单元还起到了绝缘、绝热、抗扩散的作用，从而可提升存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN101794863A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127277.2
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种电阻存储器装置，所述装置包含一对电极，电极对之间是存储材料；存储材料由两种以上的固体混合而成，其中至少有一固体具备相变能力，至少有一固体不具备相变能力；所述存储器装置在电信号的作用下能够实现器件在高、低电阻之间的转换。本发明的电阻存储器中的存储材料中包含一种及一种以上的相变材料，此外还包含不具备相变能力的功能材料；本发明能够将器件的功耗进一步地缩小，且提升热稳定性。
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公开(公告)号：CN101770164A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044948.6
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构压印硬模板，属于纳米制造领域。其特征在于：利用多孔阳极氧化铝(AAO)膜技术制备硬质材料基底多孔模板，通过增加硬质基底和表面修饰处理后直接作压印(自上而下)模板。多孔阳极氧化铝膜可以自组织生长成六度对称的有序多孔结构，孔洞陡直且分布均匀，用它作为模板通过热蒸发、溅射和沉积以及电化学组装等定向组装(自下而上)的加工方法已经制备出各种具有光学、电学和磁学等性能的纳米结构和器件。本发明通过增加硬质材料基底和表面修饰处理将AAO模板技术移植到自上而下的表面微结构加工领域，这种纳米级高密度结构压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。同时，由于增加了硬质基底，克服了现有AAO模板脆且易碎的缺点，更利于软模板复制。
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