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公开(公告)号：CN109959747A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711406527.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微色谱柱及微热导检测器的集成芯片及制备方法，包括：双抛硅片，具有第二面及相对的第一面；图形化堆叠结构，包含交叉网状结构，其下方具有释放槽，图形化堆叠结构悬挂于释放槽中；盖基片，键合于第一面，盖基片具有微沟槽，图形化堆叠结构位于微沟槽内；微色谱柱的微沟道，形成于第二面中，微沟道内具有微柱阵列，微沟道与释放槽连通；底基片，键合于第二面，以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本发明的微热导检测器和微色谱柱分别位于双抛硅片的第一面和第二面上，增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本发明无需额外的连接部件，具有死体积低、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN109959746A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711403787.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提出了一种硅基微气相色谱柱及其制备方法，在硅微色谱柱的微沟道的内表面上设计并制备出一层细密的硅纳米线森林，纳米线线径一般分布在几纳米至几十纳米之间。这种细密的硅纳米线森林极大地增大了硅微色谱柱的表面积，从而有效地提高了硅微色谱柱的柱容量、分离度和柱效。
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公开(公告)号：CN108333283A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201710042386.6
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱及其制备方法，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本发明将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽。
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公开(公告)号：CN108178122A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611123850.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
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公开(公告)号：CN104979368B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510368985.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种红外探测器阵列及其制作方法，该红外探测器阵列的结构特点在于在非致冷红外探测器像素的悬桥结构上制作两组热敏单元B1和B2，在衬底上制作另外两组热敏单元S1和S2，再通过惠斯通电桥形式将这四组热敏单元连接起来，差分输出电信号，抑制了电路噪声，可显著地提高器件的信噪比。本发明制作方法的特点在于：在释放像素结构时，先在衬底中刻蚀出腐蚀槽，然后采用各向异性腐蚀剂腐蚀硅释放像素结构，提高了腐蚀释放效率，且腐蚀形状及深度可控，可避免像素和衬底之间发生粘连，还可以以未腐蚀尽的硅作为像素的锚，简化了锚的制作工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105129718B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510341090.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光学读出红外探测器结构及其制作方法，所述探测器结构至少包括：玻璃衬底和通过第二锚悬空于所述玻璃衬底上的悬浮结构；所述悬浮结构包括可见光反射层、红外吸收层以及支撑梁；所述可见光反射层悬空于所述玻璃衬底上，所述红外吸收层通过第一锚悬空于所述可见光反射层上，所述支撑梁悬空于所述可见光反射层上，并且所述支撑梁的一端与同一平面内的所述红外吸收层相连、另一端通过第二锚固定于所述玻璃衬底上。本发明的探测器结构通过将可见光反射层和红外吸收层分离，避免了可见光反射层由于双材料效应导致变形，且可见光反射层面积的增加提高了可见光的利用率，从而使红外探测器同时满足对器件各方面的要求，提高器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN104810425A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410035671.1
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供一种紫外探测器及其制作方法，该探测器从下而上依次由绝缘衬底、下电极、紫外敏感薄膜、金属上电极和石墨烯透明电极构成。所述下电极分为两种：一种是由单金属或复合金属薄膜；另一种下电极由透明导电薄膜ITO和制作在该薄膜上环绕在紫外敏感薄膜周围的金属电极构成，环状金属电极与ITO薄膜之间为欧姆接触，环状金属电极由金或铂构成。紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种材料。金属上电极由金或铂构成，可采用长条状或环状或网状结构。完整的石墨烯透明电极覆盖在紫外敏感薄膜和大部分金属上电极上方。本发明所涉及的紫外探测器具有紫外辐射透过率高、量子效率高的特点。
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公开(公告)号：CN104003352A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410264566.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构，该方法包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔；b）键合所述垫片及所述衬底片；c）将待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并将所述吸气剂固定于朝向所述芯片封装腔的盖片表面；e）键合所述盖片及所述垫片并激活吸气剂。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将非致冷红外探测器芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护非致冷红外探测器芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；采用吸气剂薄膜维持腔体的真空度，可降低真空封装的体积；只对已通过测试的非致冷红外探测器芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN101566502B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910049388.3
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种热光型红外探测器及制作方法，其特征在于所述的红外探测器由硅衬底，制作于硅衬底之上的像素阵列，以及和硅衬底相键合的玻璃构成，或者由硅衬底，制作于硅衬底之上的像素阵列，与硅衬底相键合的玻璃以及和硅衬底相粘接的红外滤光片构成。在所述的TO-IRD中，采用特殊的隔热柱结构和工艺设计，制作出具有较高高度、站立于硅衬底上的隔热柱，提高TO-IRD的隔热性能；在像素膜系结构中，通过设计和制作专门的红外吸收层，提高TO-IRD对红外辐射的吸收率，且不影响它对读出光的调制功能；采用硅玻璃键合或在真空中粘接红外滤光片，实现器件的真空封装。
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公开(公告)号：CN100423311C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510112299.0
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料制作锚或对锚进行保护，最后采用XeF2气体腐蚀硅牺牲层释放像素。本发明具有以下积极效果和优点：一方面采用干法释放，避免湿法释放过程对像素结构的破坏；另一方面，降低了制作成本且与IC工艺相兼容。
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