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公开(公告)号：CN108181415B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201611124545.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种薄膜型微热导检测器及其制备方法，该薄膜型微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构是由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括通过深反应离子刻蚀（DRIE）工艺刻蚀硅片背面硅释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明的热敏电阻的上下两层氧化硅/氮化硅薄膜不仅对其起到保护作用，并且由于结构的对称分布还能起到应力平衡的作用，减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性；采用一步DRIE工艺释放交叉网状结构，使得微沟槽侧壁陡直，器件死体积小。
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公开(公告)号：CN108181415A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611124545.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种薄膜型微热导检测器及其制备方法，该薄膜型微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构是由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括通过深反应离子刻蚀（DRIE）工艺刻蚀硅片背面硅释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明的热敏电阻的上下两层氧化硅/氮化硅薄膜不仅对其起到保护作用，并且由于结构的对称分布还能起到应力平衡的作用，减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性；采用一步DRIE工艺释放交叉网状结构，使得微沟槽侧壁陡直，器件死体积小。
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公开(公告)号：CN108333283B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201710042386.6
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱及其制备方法，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本发明将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽。
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公开(公告)号：CN108333283A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201710042386.6
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱及其制备方法，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本发明将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108178122A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611123850.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
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公开(公告)号：CN108178122B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201611123850.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
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公开(公告)号：CN206583873U
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201621343162.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜型微热导检测器，该薄膜型微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构是由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括通过深反应离子刻蚀（DRIE）工艺刻蚀硅片背面硅释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本实用新型的热敏电阻的上下两层氧化硅/氮化硅薄膜不仅对其起到保护作用，并且由于结构的对称分布还能起到应力平衡的作用，减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性；采用一步DRIE工艺释放交叉网状结构，使得微沟槽侧壁陡直，器件死体积小。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206460008U
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201720071546.5
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本实用新型提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本实用新型将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽。
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公开(公告)号：CN206457251U
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201621342682.5
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种微热导检测器：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本实用新型以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本实用新型减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
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