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公开(公告)号：CN109444721B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811554687.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供一种检测S参数的方法及终端设备，该方法包括：采用基本校准件进行矢量校准，获取8‑term误差模型；根据所述8‑term误差模型中的系统误差项进行串扰修正，测量放置在被测件位置的至少两个串扰标准件，获取两项串扰项；根据所述8‑term误差模型中的系统误差项以及所述两项串扰项进行矢量校准，测量所述被测件，获取所述被测件的S参数。可以解决高频在片测试过程探针与探针之间串扰误差项的影响，并且解决在串扰修正过程中单个串扰标准引起的随机误差较大问题，进一步提高高频在片S参数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN111781479A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010091791.9
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型建立方法，包括：建立在片校准件等效电路，所述在片校准件等效电路包括偏置传输线、第一电容、第二电容、第一电感和第一电阻；通过设置所述在片校准件等效电路中的第一电容的电容值、第二电容的电容值、第一电感的电感值和第一电阻的电阻值，将所述在片校准件等效电路转换为开路标准件校准模型、短路标准件校准模型和负载标准件校准模型。本发明提供的在片校准件模型建立方法将各个类型的标准件校准模型进行了整合，方便对在片校准件模型进行统一的分析，简化了在片校准件模型的分析过程，提高了在片校准件模型的分析准确度。
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公开(公告)号：CN109444717B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811469568.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于太赫兹在片测量技术领域，提供了一种新型在片S参数误差校准方法和装置。该方法包括：在测试系统未连接探针时，在波导端面进行二端口校准；在测试系统连接所述探针时，在两个探针端面分别进行一端口校准；在被测件的衬底上制作与被测件的长度相等的串扰校准件，根据所述串扰校准件对被测件的串扰误差进行校准。本发明可以实现高频在片S参数校准过程中串扰误差的准确表征与修正，提高高频在片S参数测量误差修正的准确度。
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公开(公告)号：CN109444786A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811526823.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了提高在片负载牵引测量准确度的方法、系统及终端设备，方法包括：获取在片负载牵引系统测量模型参数，所述矢在片负载牵引系统测量模型参数包括：系统误差项、参考接收机的测试结果和标准接收机的测试结果；根据所述在片负载牵引系统测量模型参数，确定功率增益函数；确定由所述功率增益函数组成的目标函数；优化所述目标函数，得到优化后的系统误差项。本发明通过优化在片负载牵引系统测量模型中的系统误差项，进而优化功率增益函数，达到提高在片负载牵引测量准确度的效果。
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公开(公告)号：CN109444721A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811554687.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供一种检测S参数的方法及终端设备，该方法包括：采用基本校准件进行矢量校准，获取8-term误差模型；根据所述8-term误差模型中的系统误差项进行串扰修正，测量放置在被测件位置的至少两个串扰标准件，获取两项串扰项；根据所述8-term误差模型中的系统误差项以及所述两项串扰项进行矢量校准，测量所述被测件，获取所述被测件的S参数。可以解决高频在片测试过程探针与探针之间串扰误差项的影响，并且解决在串扰修正过程中单个串扰标准引起的随机误差较大问题，进一步提高高频在片S参数的测量准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109444717A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811469568.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于太赫兹在片测量技术领域，提供了一种新型在片S参数误差校准方法和装置。该方法包括：在测试系统未连接探针时，在波导端面进行二端口校准；在测试系统连接所述探针时，在两个探针端面分别进行一端口校准；在被测件的衬底上制作与被测件的长度相等的串扰校准件，根据所述串扰校准件对被测件的串扰误差进行校准。本发明可以实现高频在片S参数校准过程中串扰误差的准确表征与修正，提高高频在片S参数测量误差修正的准确度。
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公开(公告)号：CN104297551A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410502198.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统，涉及半导体器件直流电流特性测量技术领域。包括数字多用表、高值电阻/短路器、线性稳压电源和有源校准适配器，所述有源校准适配器的电阻信号输入端与所述高值电阻/短路器连接，所述有源校准适配器的电阻电压信号输出端与所述数字多用表连接，所述有源校准适配器的电源信号输入端与所述线性稳压电源连接。所述有源校准适配器并设有皮纳安级直流电流源电流信号输入端接口。本发明解决了现有技术的使用局限性（仅适用于具有保护端子输出的微小电流）和测量误差大（默认保护端电压与高值电阻电压相等，默认保护端输出没有线性度）等问题，具有很高的市场推广价值。
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公开(公告)号：CN104076312A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410293662.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体特性分析仪高值电压的精确校准方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备技术领域。包括以下步骤：将高压分压器送往上级计量技术机构，获取其1000V～3000V的分压比，并计算其电压系数，确定其是否满足预期校准要求；如果不满足要求，则复现上级计量技术机构的温湿度环境，在1000V下利用高精度多功能校准器，标定上述高压分压器的1000V标准分压比的量值；利用标定好的高压分压器对被校半导体特性分析仪进行1000V～3000V范围内任意电压值的校准。所述方法提高了半导体特性分析仪测量高值电压的准确性。
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公开(公告)号：CN118858868A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410834330.4
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种宽带在片差分S参数校准方法，涉及晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域。本发明通过对在片差分S参数测量系统进行两次两端口多线TRL校准、一次两端口未知直通校准，结合端口间矩阵运算得到四个端口全部误差项，可求解出件的多端口S参数，再将四个端口的常规S参数计算转化为差分S参数。在该过程中，由于采用可溯源的多线TRL校准算法，可有效提高在片差分S参数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN114114119B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111284366.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。该方法包括：多线TRL校准件包括一个直通、与直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，方法包括：根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线以及确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；进行半导体工艺加工，得到校准件；对校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。本发明能够解决了目前国内没有多线TRL校准件的制备方式导致缺乏多线TRL校准件的问题。
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