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公开(公告)号：CN104678163A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410843353.8
申请日：2014-12-30
Applicant: 东南大学
IPC: G01R19/25
Abstract: 一种直流电机绕组电流的采样电路和采样方法，在H全桥的两个下功率管和地之间分别串联两个采样电阻，在直流电机的导通和续流工作模式下，将正、反两个旋转方向时的定子绕组电流分别转换成大于0V的正电压信号，继而经过低通滤波器滤波，各自传输给处理器CPU中的模数转换ADC模块，由处理器CPU中的比较程序进行判别比较，最终调节处理器CPU的脉宽调制PWM模块的输出，以控制功率及电流采样电路中的功率开关管，从而将定子绕组电流在上限以内，防止电流失控造成的电机或控制器损坏。
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公开(公告)号：CN104576722A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410813021.5
申请日：2014-12-24
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0684 , H01L29/66325
Abstract: 一种高可靠性的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底、埋氧层，N型漂移区，二氧化硅层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，在P型发射极和N型发射极上连接有发射极电极金属连线，在N型缓冲层中设有P型集电极，在P型集电极上连接有集电极金属，在二氧化硅层内设有多晶硅栅和多晶硅场板，在多晶硅栅上连接有栅极金属，在N型漂移区内还设有一排沟槽，在每个沟槽的内壁上设有一层二氧化硅，在二氧化硅内填充多晶硅，所述沟槽与P型体区、P型发射极、N型发射极和多晶硅栅的U字形开口相邻，所述沟槽位于集电极金属的下方且与集电极金属垂直。
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公开(公告)号：CN102769454B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210224755.0
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了一种可抗噪声干扰的高侧栅驱动电路，主要包括可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路，脉冲滤波电路，RS触发器，输出驱动级电路，其中，可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路将低侧的脉冲产生信号转换成高侧的高压脉冲信号，并消除在应用中产生的共模噪声，脉冲滤波电路滤除剩余的差模噪声成分，只留下正常工作的脉冲信号，经过RS触发器还原为正常信号并经过输出驱动级电路后输出方波信号，驱动外部的高侧功率管。
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公开(公告)号：CN104035471A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410299287.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/565
Abstract: 一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源，在现有带隙基准核心电路的基础上、增设了第一MOS管亚阈值电流补偿电路和第二MOS管亚阈值电流补偿电路，通过两个亚阈值电流补偿电路对基准电流补偿NMOS管和PMOS管的亚阈值电流，即利用亚阈值电流的指数变化关系补偿传统基准电流的非线性，使得输出带隙基准电流在宽温度范围内得到补偿，输出带隙基准电压与温度变化趋缓，从而大大降低了基准电压的温度系数。
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公开(公告)号：CN103928507A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410151709.1
申请日：2014-04-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0619 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够改善逆导型绝缘栅双极型晶体管电流回跳现象，并且提高关断速率，改善耐压的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区包含对角设置的第一N型漂移区与第一P型漂移区，以及对角设置的第二N型漂移区与第二P型漂移区；在第一N型漂移区和第二P型漂移区内设有P型体区，在P型体区内设有N型发射极区和P型集电极区，以及用于连接两者的阴极金属，且在P型体区的上表面上设有阴极栅氧化层及阴极多晶硅层；在第一P型漂移区与第二N型漂移区内设有N型体区，在N型体区内设有N型集电极区和P型发射极区，以及用于连接两者的阳极金属，且在N型体区的上表面上设有阳极栅氧化层及阳极多晶硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367453A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310301709.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。
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公开(公告)号：CN102403359B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110311821.3
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。
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公开(公告)号：CN102315274B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110311815.8
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。
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公开(公告)号：CN102646711A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210101013.9
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。
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公开(公告)号：CN102611425A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210059630.7
申请日：2012-03-08
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 一种抗电源噪声干扰的高压侧栅极驱动电路，包括浮动电源VB-VS，双脉冲产生电路，高压电平位移电路，含有随机失调噪声滤波电路的噪声滤波电路，RS触发器，输出驱动电路，在随机失调噪声滤波电路上连接有共模噪声滤波电路，并且共模噪声滤波电路的第一、第二输出端与随机失调噪声滤波电路的第一、第二输入端连接，所述共模噪声滤波电路由六个与非门和四个反相器组成，它能有效的滤除高压侧电源VB浮动过程中产生的电源共模噪声，避免了高压侧电路由于共模噪声干扰而造成的误触发现象，所述共模噪声滤波电路，采用纯数字电路、没有无源器件、电路结构简单，适合高压侧栅极驱动电路、半桥驱动电路和智能功率模块等芯片的应用。
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