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公开(公告)号：CN102315275A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110311820.9
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底且所述N型重掺杂硅衬底的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底之上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，且型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区和条形二氧化硅，所述条形二氧化硅位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区覆盖所述终端结构的横向边。
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公开(公告)号：CN102315274B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110311815.8
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。
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公开(公告)号：CN102315274A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110311815.8
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。
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公开(公告)号：CN202394981U
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201120391579.0
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底且所述N型重掺杂硅衬底的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底之上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，且型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区和条形二氧化硅，所述条形二氧化硅位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区覆盖所述终端结构的横向边。
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公开(公告)号：CN202307902U
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201120391575.2
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。
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