公开(公告)号：CN102315274B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201110311815.8

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。

公开(公告)号：CN102683262A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210133735.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：在绝缘体上硅结构中的N型外延层上设有表面钝化层，N型外延层中设有高压电路区域、多深槽隔离结构以及低压电路区域，高压电路区域被多深槽隔离结构所包围，所述多深槽隔离结构由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域和低压电路区域的N型外延层上均电连接有电极接触孔，在各个相邻的深槽隔离结构之间的N型外延层及各个深槽隔离结构上均电连接有中间电极接触孔，所述高阻多晶硅场板的两端分别与高、低压区中的电极接触孔电连接，并且，所述高阻多晶硅场板按照由内向外的顺序依次与各个电极接触孔电连接。

公开(公告)号：CN102315274A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110311815.8

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。

公开(公告)号：CN102315275A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110311820.9

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底且所述N型重掺杂硅衬底的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底之上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，且型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区和条形二氧化硅，所述条形二氧化硅位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区覆盖所述终端结构的横向边。

公开(公告)号：CN202394981U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120391579.0

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的环形N型重掺杂硅衬底且所述N型重掺杂硅衬底的内、外边界为矩形，在N型重掺杂硅衬底下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底之上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，且型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域沿所述终端结构的纵向交替排列，其特征在于，在超结结构上设有二氧化硅区和条形二氧化硅，所述条形二氧化硅位于所述终端结构纵向边上，并且，沿所述终端结构纵向平行排列，所述二氧化硅区覆盖所述终端结构的横向边。

公开(公告)号：CN202616220U

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201220192481.7

申请日：2012-04-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L23/522

Abstract: 一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：在绝缘体上硅结构中的N型外延层上设有表面钝化层，N型外延层中设有高压电路区域、多深槽隔离结构以及低压电路区域，高压电路区域被多深槽隔离结构所包围，所述多深槽隔离结构由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域和低压电路区域的N型外延层上均电连接有电极接触孔，在各个相邻的深槽隔离结构之间的N型外延层及各个深槽隔离结构上均电连接有中间电极接触孔，所述高阻多晶硅场板的两端分别与高、低压区中的电极接触孔电连接，并且，所述高阻多晶硅场板按照由内向外的顺序依次与各个电极接触孔电连接。

公开(公告)号：CN202307902U

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201120391575.2

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。