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公开(公告)号：CN103367453B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310301709.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。
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公开(公告)号：CN103313491A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310284988.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 东南大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 一种用于LED的数字调光控制系统，包括主功率电路和LED负载，设有外部控制输入模块、含有解码单元、驱动控制单元、计时单元及定时单元的控制模块、PWM驱动模块、D/A转换模块、反馈电路及比较器。控制模块根据外部控制输入模块的需求，通过对PWM驱动模块的控制来调节PWM驱动波形的开关时间，一方面驱动控制单元通过D/A转换模块改变比较器输入端的电压参考值，另一方面驱动控制单元控制PWM信号的导通，计时单元用于计算每个周期PWM的开通时间，定时单元用于确定PWM的开关时间，驱动控制单元通过定时单元确保PWM驱动模块开关周期恒定，根据计时单元所得到的时间和驱动控制单元内部存储时间进行比较来控制和调节PWM的开通时间，并实现相应保护。
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公开(公告)号：CN103311303B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310199858.0
申请日：2013-05-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。
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公开(公告)号：CN103367453A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310301709.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。
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公开(公告)号：CN103516217B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310280551.3
申请日：2013-09-29
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种可调整斜波补偿斜率的开关电源，基于峰值电流模Buck电路的结构，包括输入电压源、同步整流电路、峰值电流检测电路、输出滤波电路、误差放大器、脉宽调制控制电路、斜波补偿电路、基准电压源及加法器电路；其特征在于：将斜波补偿电路予以改进并在改进的斜波补偿电路的输入端增设与输出滤波电路的输出Vo值相关的第二基准电压源，当输入电压源固定不变，通过采样误差放大器输入端基准电压Vref的变化使输出滤波电路的输出Vo相应变化导致峰值电流模电路中占空比D发生变化时，实现可变斜率的斜波补偿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103313491B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310284988.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 东南大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 一种用于LED的数字调光控制系统，包括主功率电路和LED负载，设有外部控制输入模块、含有解码单元、驱动控制单元、计时单元及定时单元的控制模块、PWM驱动模块、D/A转换模块、反馈电路及比较器。控制模块根据外部控制输入模块的需求，通过对PWM驱动模块的控制来调节PWM驱动波形的开关时间，一方面驱动控制单元通过D/A转换模块改变比较器输入端的电压参考值 ，另一方面驱动控制单元控制PWM信号的导通，计时单元用于计算每个周期PWM的开通时间，定时单元用于确定PWM的开关时间，驱动控制单元通过定时单元确保PWM驱动模块开关周期恒定，根据计时单元所得到的时间和驱动控制单元内部存储时间进行比较来控制和调节PWM的开通时间，并实现相应保护。
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公开(公告)号：CN103326345B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310285468.5
申请日：2013-07-08
Applicant: 东南大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 一种直流过压保护电路，包括输入滤波电路、过压检测电路、可变阻抗电子开关驱动电路、可变阻抗电子开关电路、稳压电路、降低饱和压降电路、输出滤波稳压电路及负载；输入滤波电路的输入端连接输入信号，输入滤波电路的输出端分别连接过压检测电路及降低饱和压降电路，过压检测电路的输出连接可变阻抗电子开关驱动电路，可变阻抗电子开关驱动电路的输出连接可变阻抗电子开关电路，可变阻抗电子开关电路的输出连接稳压电路，稳压电路的输出连接降低饱和压降电路，降低饱和压降电路的输出连接输出滤波稳压电路，输出滤波稳压电路的输出连接负载。
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公开(公告)号：CN103516217A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310280551.3
申请日：2013-09-29
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种可调整斜波补偿斜率的开关电源，基于峰值电流模Buck电路的结构，包括输入电压源、同步整流电路、峰值电流检测电路、输出滤波电路、误差放大器、脉宽调制控制电路、斜波补偿电路、基准电压源及加法器电路；其特征在于：将斜波补偿电路予以改进并在改进的斜波补偿电路的输入端增设与输出滤波电路的输出Vo值相关的第二基准电压源，当输入电压源固定不变，通过采样误差放大器输入端基准电压Vref的变化使输出滤波电路的输出Vo相应变化导致峰值电流模电路中占空比D发生变化时，实现可变斜率的斜波补偿。
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公开(公告)号：CN103326345A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310285468.5
申请日：2013-07-08
Applicant: 东南大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 一种直流过压保护电路，包括输入滤波电路、过压检测电路、可变阻抗电子开关驱动电路、可变阻抗电子开关电路、稳压电路、降低饱和压降电路、输出滤波稳压电路及负载；输入滤波电路的输入端连接输入信号，输入滤波电路的输出端分别连接过压检测电路及降低饱和压降电路，过压检测电路的输出连接可变阻抗电子开关驱动电路，可变阻抗电子开关驱动电路的输出连接可变阻抗电子开关电路，可变阻抗电子开关电路的输出连接稳压电路，稳压电路的输出连接降低饱和压降电路，降低饱和压降电路的输出连接输出滤波稳压电路，输出滤波稳压电路的输出连接负载。
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公开(公告)号：CN103311303A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310199858.0
申请日：2013-05-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。
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