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公开(公告)号：CN111326414B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201911249113.4
申请日：2019-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。
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公开(公告)号：CN112133630B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202011049271.8
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，形成反应前体；(b)第二工序：对处理容器内的空间进行吹扫；(c)第三工序：在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜；以及(d)第四工序：对处理容器内的空间进行吹扫。
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公开(公告)号：CN111627809B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010101737.8
申请日：2020-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。
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公开(公告)号：CN117219504A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310648290.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/302
Abstract: 提供改进蚀刻选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含：(a)向腔室内提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含从由钨、钼、钌、钛、铟、镓以及锌构成的组中选择的至少一种金属；以及(b)使用由包含氟化氢气体的处理气体生成的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。还提供一种等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN117133648A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310552773.X
申请日：2023-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，即使在蚀刻的中间阶段以后也能够抑制不均匀的CD(Critical Dimension：关键尺寸)扩大区域的产生的。基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，基板处理装置具备：腔室；基板支承部，其构成为在腔室内支承基板；上部电极，其与基板的中心相向；以及多个电磁体，所述多个电磁体相对于上部电极的中心辐射状地进行配置，所述基板处理方法包括以下工序：选择出蚀刻中的多个电磁体的极性变更模式；以及从供给到腔室内的处理气体生成等离子体，并基于极性变更模式对基板进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116997997A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021687.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种使用基板处理装置进行的基板的蚀刻方法，所述基板处理装置具备：处理腔室，其形成所述基板的处理空间；基板支承体，其设置于所述处理腔室的内部，用于保持所述基板；以及电源，其至少向所述基板支承体供给偏压电力，所述蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，将具有基底层和所述基底层上的有机材料层的所述基板提供到所述基板支承体上；工序(b)，在所述处理腔室内生成等离子体；以及工序(c)，以规定的周期重复对所述基板支承体的偏压电力的供给和停止，其中，在所述工序(c)中，将所述周期中的不供给所述偏压电力的断开时间设为10毫秒以上。
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公开(公告)号：CN116837349A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310861258.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , C23C16/04 , C23C16/503
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
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公开(公告)号：CN116805578A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310255655.2
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理系统，提高相对于掩模的选择比。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，在腔室内，从处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻，所述处理气体包含PClaFb气体或PCcHdFe气体、以及HF气体，其中，a和b分别为1以上的整数，c为0以上的整数，d和e分别为1以上的整数。
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公开(公告)号：CN116230524A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310384766.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN115954268A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211606830.X
申请日：2017-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置。基片处理系统的各部分执行：步骤a，利用光学观察装置，对于具有被处理层和形成在被处理层的图案的基片，按照多个区域的每一区域测定图案的槽宽度；步骤b，按照多个区域的每一区域计算图案的槽宽度与基准值的差值；步骤c，基于被处理层的温度与在被处理层上的图案沉积的膜的膜厚的对应，使用与按照多个区域的每一区域计算出的差值对应的膜厚，按照多个区域的每一区域调节被送入处理容器内的基片的被处理层的温度；步骤d，在图案上，形成具有同图案的槽宽度与基准值的差值相当的厚度的膜；和步骤e，使用形成了膜的图案，对被处理层进行蚀刻。
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