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公开(公告)号：CN117219504A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310648290.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/302
Abstract: 提供改进蚀刻选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含：(a)向腔室内提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含从由钨、钼、钌、钛、铟、镓以及锌构成的组中选择的至少一种金属；以及(b)使用由包含氟化氢气体的处理气体生成的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。还提供一种等离子体处理系统。
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