基板支架
    71.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110644039B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN201910559838.7

    申请日:2019-06-26

    Inventor: 宫本松太郎

    Abstract: 本发明的目的之一在于提供具备夹持器的创造性的基板支架。公开如下基板支架,其用于通过在框架间夹着基板来保持基板,基板支架具备前框架、后框架以及一个或多个夹持器,夹持器分别具有:具备钩基座与钩主体的钩部和具备至少一个爪的板件,夹持器的至少一个具备:具有锁定用的第一爪与半锁定用的第二爪的上述板件。

    滑动轴承、滑动轴承装置及泵
    72.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116710657A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202180089421.4

    申请日:2021-10-19

    Abstract: 提供在含有砂土等异物的水(浆料)中运转时的耐浆料磨损性能优异的滑动轴承及具备该滑动轴承装置的泵。滑动轴承由包含芳香族聚醚酮、氟树脂、氮化硼、碳纤维、石墨及不可避免的杂质的树脂组合物形成,相对所述树脂组合物而言,所述石墨的含有率为5质量%以下(包括0质量%),且所述氮化硼、所述碳纤维及所述石墨的合计的含有率为30质量%以下,所述滑动轴承的滑动面上的所述碳纤维的面积率小于10%,其中,所述碳纤维的面积率是针对从滑动轴承的滑动面切出的试样片的任意5个部位对基于光学显微镜(500倍)的观察视野为纵589μm×横442μm的部分进行图像处理并由HSB色空间中亮度为75%以上的区域的面积求出的平均面积率。

    基板处理装置
    73.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110476226B

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN201880022273.2

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 基板处理装置具有基板研磨单元(40),该基板研磨单元具备对晶片(W)进行研磨的研磨垫和用于对晶片进行保持并向研磨垫按压晶片的顶环(41)。在顶环(41),作为消耗品而安装有弹性膜(80),该弹性膜对晶片(W)的与研磨面相反的一侧的面进行保持。在弹性膜(80)设置有在研磨中对产生于弹性膜(80)的变形进行测量的多个变形传感器(85、86),控制装置(15)通过检测部(90、91)而读出变形量的数据。控制装置(15)基于由变形传感器测量出的弹性膜(80)的变形信息来设定对于晶片(W)的研磨制程等处理条件。

    镀覆装置
    74.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115552060B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202180026492.X

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明抑制产生对接触部件的供电不均。基板支架具备:框状的支承机构,其构成为被多个支柱悬挂保持,并对基板的被镀覆面的外周部进行支承;背板组件,其构成为配置于基板的被镀覆面的背面侧,并与支承机构一起夹持基板;接触部件(468),其配置于支承机构;以及多个电源线部件(461)。接触部件(468)具有与基板的被镀覆面的外周部接触的供电触点、和与电源连接的多个电源连接部(469b)。多个电源线部件(461)从电源通过多个支柱与多个电源连接部(469b)连接,并布线成从电源至多个电源连接部(469b)为止的距离相等。

    镀覆方法和镀覆装置
    75.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116479506A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310398353.0

    申请日:2021-12-06

    Abstract: 本发明提供一种能够去除附着于离子电阻器的孔的气泡的技术。镀覆方法包括:在将阳极和离子电阻器浸渍于镀覆液的状态下,通过驱动配置于比离子电阻器靠上方的位置的搅棒来搅拌镀覆液(步骤S20);在停止了搅棒对镀覆液的搅拌的状态下,使作为阴极的基板浸渍于镀覆液(步骤S40);在将基板浸渍于镀覆液的状态下,使配置于比离子电阻器靠上方且比基板靠下方的位置的搅棒对镀覆液的搅拌再次开始(步骤S50);以及在再次开始了搅棒对镀覆液的搅拌的状态下,使电流在基板与阳极之间流动,由此对基板实施镀覆处理(步骤S60)。

    基板保持器、镀覆装置以及镀覆方法

    公开(公告)号:CN116411330A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202310461440.6

    申请日:2023-04-26

    Inventor: 高桥直人

    Abstract: 本发明涉及基板保持器、镀覆装置以及镀覆方法,上述基板保持器用于保持基板,并使基板与镀覆液接触而进行镀覆,具备:接头,用于与在上述基板的表面形成的种子层接触并供电;保护电极,是不溶解性的电极且相对于上述接头向高电位侧偏置;以及保持器主体,具有内部空间,该内部空间在由上述基板保持器保持上述基板的状态下,以从上述基板保持器的外部密封的状态将上述基板的外周部、上述接头以及上述保护电极收纳,并且对至少将上述保护电极的一部分、以及、上述种子层与上述接头接触的接触部位覆盖的液体进行保持。

    镀覆装置
    77.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116397303A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310296969.7

    申请日:2023-03-24

    Abstract: 本发明提供镀覆装置。在镀覆处理中实时且正确地掌握镀覆膜厚。镀覆装置具备:镀覆槽,其用于收容镀覆液;基板支架,其用于保持基板;阳极,其以与被上述基板支架保持的上述基板对置的方式配置在上述镀覆槽内;电位传感器,其构成为配置于被上述基板支架保持的上述基板的附近,并测定上述镀覆液的电位;以及状态空间模型,其构成为基于上述电位传感器测定出的上述镀覆液的电位的测定值,使用状态方程式以及观测方程式来推断在上述基板的外缘部流过的电流密度。

    用于识别对镀覆装置的生产率进行限制的要素的方法以及计算机程序

    公开(公告)号:CN116397302A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202211654834.5

    申请日:2022-12-22

    Inventor: 岩本大树

    Abstract: 本发明提供一种用于识别对镀覆装置的生产率进行限制的要素的方法以及计算机程序。课题在于识别对镀覆装置的生产率进行限制的要素。提供一种识别对镀覆装置的生产率进行限制的要素的方法。方法包括如下步骤:制作时序图,该时序图表示上述多个处理单元以及上述一个或多个输送装置的处理调度;基于上述时序图,针对上述多个处理单元以及上述一个或多个输送装置的各要素,计算运转率与取出自由度的至少一方,上述取出自由度表示能够从一个上述处理单元取出处理完毕的上述基板的时机的自由度;以及针对上述多个处理单元以及上述一个或多个输送装置的每个要素,显示上述计算出的运转率与取出自由度的至少一方。

    镀覆装置及基板清洗方法
    79.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116368268A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202180038910.7

    申请日:2021-11-04

    Abstract: 本发明高效清洗基板。镀覆模块(400)包括:镀覆槽(410),构成为收容镀覆液;基板保持器(440),构成为保持被镀覆面(Wf‑a)朝向下方的基板(Wf);旋转机构(446),构成为使基板保持器(440)旋转;倾斜机构(447),构成为使基板保持器(440)倾斜;以及基板清洗部件(472),用于清洗基板保持器(440)所保持的基板(Wf)的被镀覆面(Wf‑a),基板清洗部件(472)构成为从与通过倾斜机构(447)倾斜的基板(Wf)的下端对应的位置朝向与上端对应的位置,向通过旋转机构(446)旋转的基板(Wf)的被镀覆面(Wf‑a)排出清洗液。

    基板处理装置及控制方法
    80.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116364594A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211695806.8

    申请日:2022-12-28

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及控制方法,基板处理装置具备:第一模块,该第一模块在基板处理工序中使用;第二模块,该第二模块在该第一模块之后的基板处理工序中使用;喷嘴,该喷嘴设置于该第二模块,并用于供给对象处理液;温度检测器,该温度检测器对该喷嘴的内部的处理液的温度或该喷嘴的温度进行检测;基板检测传感器,该基板检测传感器用于对基板的位置进行检测;以及控制器,该控制器根据由该温度检测器检测出的处理液的温度和该基板的位置,对基板输送到该第二模块之前实施的该对象处理液从该喷嘴的排出进行控制。

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