-
公开(公告)号：CN203038896U
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201220690757.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种用于贴面封装二极管加工的多点上芯工装，包括用于形成负压的负压罐、用于传递负压的负压管和多排用于吸附芯片的上芯针筒，所述负压罐设有负压气体接口和负压传递接口，所述负压传递接口通过所述负压管与所述上芯针筒的负压接口相通连接。采用本实用新型所述多点上芯工装进行贴面封装二极管的上芯加工（即将芯片固定于料片上），能够同时实现很多芯片的上芯，相比传统的单点上芯工装，本实用新型所述多点上芯工装的加工效率显著提高。
-
公开(公告)号：CN202330463U
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201120494924.3
申请日：2011-12-02
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种新型测试片，其特征在于：测试片本体由坡莫合金加工而成，呈三角形状，其底边的长度为10～15mm，第一底角的大小为25～35度，第二底角的大小为120～135度，在测试片本体上还设置有固定孔和接线孔。其显著效果是：采用坡莫合金加工而成，除了具有铍铜合金的优点外，其耐磨性比铍铜合金强，使用寿命比铍铜合金高1-2倍以上，而且测试片的底边较短，降低了测试过程中测试元件与测试片之间的磨损，避免出现同时与两支测试元件相接触的现象发生，减少测试误差，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN201752000U
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201020246625.3
申请日：2010-07-02
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/492
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种贴面封装二极管，其特征在于：该贴面封装二极管包括塑胶体、硅芯片、两条铜引线；所述铜引线为轴向二极管产品引线，硅芯片位于两条铜引线端面之间，通过焊接与两铜引线端面焊接；硅芯片与两铜引线除两铜引线端头外均包裹在环氧树脂注塑成的塑胶体内。本实用新型的有益效果是：结构简单、通过结构上的改动解决了目前装填技术上效率低的问题，使贴面封装二极管更能适应产品小型化发展的趋势。
-
公开(公告)号：CN217983334U
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202222292524.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接框架以及封装结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元在朝向所述框架本体的一侧设置有凸台，所述跳线单元在背离所述框架本体的一侧设置有散热平面。本实用新型解决现有了技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高、散热效果差和封装体积控制困难的问题，通过双面散热结构增大散热面积，通过框架与跳线单元的贴装焊接在缩减封装体积的同时有效降低导通损耗，使得电流承载能力得到巨大提高，有效增强散热效果。
-
公开(公告)号：CN207082515U
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201720947680.7
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/329 , B21F1/00 , B21F5/00 , B21F11/00 , B21F23/00
Abstract: 本实用新型公开了一种二极管送料、打扁、切筋整形一体机，包括沿着导轨从前到后依次设置的自动送料部分、打扁部分和切筋整形部分；所述自动送料部分包括导料槽送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构；所述打扁部分包括沿着导轨从前到后设置的一次打扁部分和二次打扁部分；所述切筋整形部分包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构。将打扁、切筋整形集成到一台设备上完成，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，最后成型好的产品自动落到收料盒中。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207038496U
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201720927185.X
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/48
Abstract: 本实用新型公开了一种二极管自动送料机构，包括导料槽、送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构，导料槽用于叠放二极管料带，送料拨杆为水平杆，且水平杆的顶部前后间隔设置有能卡入二极管料带相邻二极管单元之间的拨齿，送料拨杆向后运动时，拨齿向上伸入导轨内并卡入二极管料带的相邻单元之间带动二极管料带向后运动，送料拨杆向前运动时，拨齿向下退出导轨并脱离二极管料带的上一个卡接点，如此往复实现接力方式推送二极管料带。该机构与打扁、切筋整形集成到一台设备上，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN203351564U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320444822.X
申请日：2013-07-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开一种适用于贴片桥的手动装管工装，在水平底板顶面水平固定有一块料管固定板、一块本体引导板和两块引脚引导板，其中料管固定板顶面开有一个矩形固定槽；本体引导板靠在料管固定板右边，在本体引导板顶面对应矩形固定槽处开有一个导向槽，导向槽由主体槽段和两侧的引脚槽段构成，引脚槽段与主体槽段相通，当贴片桥在导向槽内左右滑动时，贴片桥的主体支撑在主体槽段的槽底，而贴片桥的引脚与引脚槽段的槽壁具有间隙；两块引脚引导板靠在本体引导板右边，这两块引脚引导板前后并排设置，两块引脚引导板之间横向设有一根长条形滑轨。采用本装管工装来将贴片桥装入料管中，不仅装管效率大幅提高，而不容易使整形好的引脚变形。
-
公开(公告)号：CN201752002U
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201020247034.8
申请日：2010-07-02
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/492
CPC classification number: H01L24/40 , H01L24/37 , H01L2224/36 , H01L2224/37147 , H01L2224/40 , H01L2224/40137 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/37599
Abstract: 本实用新型公开了一种薄型桥式整流器，该整流器包括铜料片、玻璃钝化硅芯片、铜跳线，铜料片带有四只引脚，四只引脚均位于铜料片一侧；玻璃钝化硅芯片位于铜料片和铜跳线之间，通过焊料与铜料片和铜跳线固定；铜料片、铜跳线及玻璃钝化硅芯片均包裹在环氧树脂注塑封装的塑封体内，仅铜料片的四只引脚外露。本实用新型的有益效果：结构简单，产品整体尺寸缩小，解决了目前小型化产品无法安装桥式整流器的问题。
-
公开(公告)号：CN201752001U
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201020247031.4
申请日：2010-07-02
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种整流二极管，包括环氧塑封体、芯片以及铜料片，所述芯片与铜料片的引脚通过铜跳线相连，铜跳线的两端分别用焊料与芯片和铜料片的引脚焊接。由于本实用新型将传统的铝线设计为铜跳线，增加了产品部件间的焊接面积及焊接强度，不仅可保证铜跳线不会被塑封过程中的环氧树脂冲击断开，避免失去整流特征，还可显著改善传统整流二极管正向偏高以及散热效果差的现状。
-
公开(公告)号：CN209461471U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201920274948.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型提供一种功率半导体器件，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层，具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，使得台面的峰值电场值得以降低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；另一方面，所述功率半导体器件在承受大电流冲击的过程中，第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，与肖特基势垒层相比，第二掺杂层能够承受更大的正向电流密度，因此能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.026 seconds)
