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公开(公告)号：CN101972876B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010509038.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 安国星
Abstract: 本发明公开了一种MBS桥式整流器件焊接工艺，该工艺包括如下步骤：a.芯片P面预焊：用焊锡量大小一致的焊片进行芯片P面预焊，而保证芯片的N面平整；b.锡膏沾笔沾锡膏：用锡膏沾笔沾定量的锡膏于料片上；c.预焊芯片定位：在b步骤后通过锡膏较大的粘度将芯片平整的N面定位在料片上；d.料片组合；e.进隧道炉焊接。本发明的有益效果是：用焊锡量大小一致的焊片进行芯片P面预焊，使芯片P面的焊锡量的多少得到充分保证；用粘度比较大的焊锡膏对芯片进行定位，从而改善了助焊剂粘度不够而致焊接偏位的不良；一则该方法投入成本极少，操作方便；二则大大减少了人工调整偏出芯片的时间，提高效率2.5倍以上；三则将原焊接偏位不良率15％降低到0％。
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公开(公告)号：CN103000699B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210541068.1
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/33 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。本发明所述贴面封装二极管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面积的情况下达到降低正向压降的目的，电流10A测试可达0.44V以下；通过采用片状式料片，减小了二极管的厚度，实现了外形薄、体积小的目的，并通过大面积的端片外露，使其具有良好的散热能力，实现了功率大、散热好的目的，并便于贴装。
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公开(公告)号：CN102569065A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110436748.2
申请日：2011-12-23
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种二极管芯片的酸洗工艺，依次为混合酸清洗，酸与双氧水混合清洗，氨水与双氧水混合清洗，所述酸与双氧水混合清洗液为双氧水，硫酸，纯水，它们的体积配比是双氧水∶硫酸∶纯水为1∶1∶15～30，混合液具体配制为：先加入纯水，在加入双氧水，最后加入硫酸。改进后的硫酸混合液能较好的替代磷酸混合液，且配比浓度低，既节约了成本，又消除了磷离子污染。
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公开(公告)号：CN103059638B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310005987.1
申请日：2013-01-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: C09D9/04
Abstract: 本发明公开了一种新型油墨字迹去字剂，包括以下原料：氢氧化钾、氢氧化钠、异丙醇、乙二醇醚、辛基酚聚氧乙烯醚和聚山梨醇酯。本发明还公开了一种新型油墨字迹去字剂的配制方法，包括以下步骤：备好原料；将异丙醇和乙二醇醚混合均匀；加热至50～60℃；加入氢氧化钾和氢氧化钠；至溶液变为红棕色为止；加入辛基酚聚氧乙烯醚和聚山梨醇酯，搅拌均匀，分装后即得去字剂成品。本发明还公开了一种新型油墨字迹去字剂的使用方法，使用时，去字剂温度控制在80～100℃，将需去字迹所在载体浸入去字剂内20～30秒，然后取出，用清水洗净去字剂即可。本发明的新型油墨字迹去字剂性能稳定，配制简单，去字干净，不伤基材，且成本低、无污染。
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公开(公告)号：CN103059638A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310005987.1
申请日：2013-01-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: C09D9/04
Abstract: 本发明公开了一种新型油墨字迹去字剂，包括以下原料：氢氧化钾、氢氧化钠、异丙醇、乙二醇醚、辛基酚聚氧乙烯醚和聚山梨醇酯。本发明还公开了一种新型油墨字迹去字剂的配制方法，包括以下步骤：备好原料；将异丙醇和乙二醇醚混合均匀；加热至50～60℃；加入氢氧化钾和氢氧化钠；至溶液变为红棕色为止；加入辛基酚聚氧乙烯醚和聚山梨醇酯，搅拌均匀，分装后即得去字剂成品。本发明还公开了一种新型油墨字迹去字剂的使用方法，使用时，去字剂温度控制在80～100℃，将需去字迹所在载体浸入去字剂内20～30秒，然后取出，用清水洗净去字剂即可。本发明的新型油墨字迹去字剂性能稳定，配制简单，去字干净，不伤基材，且成本低、无污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021886A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210541589.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/743
Abstract: 本发明公开了一种贴面封装二极管焊接工艺，其点胶、上芯和焊接流程采用以下方法：对多排下料片进行同时点胶，再完成上芯，然后把已经上芯的下料片放在焊接盘上；与此同时，对多排上料片进行同时点胶，点胶完成后，再将上料片放到焊接盘上的下料片上与芯片对应定位，然后盖上焊接盘盖，入焊接炉进行焊接。本发明还公开了一种多点点胶工装，包括用于盛装胶料的胶罐、用于输送胶料的胶管和多个用于挤出胶料的点胶针筒。本发明还公开了一种多点上芯工装，包括用于形成负压的负压罐、用于传递负压的负压管和多个用于吸附芯片的上芯针筒。本发明通过多点点胶工艺及工装、多点上芯工艺及工装，显著提高了贴面封装二极管焊接效率，可达12.5k/h.人以上。
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公开(公告)号：CN103021886B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210541589.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/743
Abstract: 本发明公开了一种贴面封装二极管焊接工艺，其点胶、上芯和焊接流程采用以下方法：对多排下料片进行同时点胶，再完成上芯，然后把已经上芯的下料片放在焊接盘上；与此同时，对多排上料片进行同时点胶，点胶完成后，再将上料片放到焊接盘上的下料片上与芯片对应定位，然后盖上焊接盘盖，入焊接炉进行焊接。本发明还公开了一种多点点胶工装，包括用于盛装胶料的胶罐、用于输送胶料的胶管和多个用于挤出胶料的点胶针筒。本发明还公开了一种多点上芯工装，包括用于形成负压的负压罐、用于传递负压的负压管和多个用于吸附芯片的上芯针筒。本发明通过多点点胶工艺及工装、多点上芯工艺及工装，显著提高了贴面封装二极管焊接效率，可达12.5k/h.人以上。
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公开(公告)号：CN103000699A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210541068.1
申请日：2012-12-14
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/33 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。本发明所述贴面封装二极管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面积的情况下达到降低正向压降的目的，电流10A测试可达0.44V以下；通过采用片状式料片，减小了二极管的厚度，实现了外形薄、体积小的目的，并通过大面积的端片外露，使其具有良好的散热能力，实现了功率大、散热好的目的，并便于贴装。
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公开(公告)号：CN101972876A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010509038.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 安国星
Abstract: 本发明公开了一种MBS桥式整流器件焊接工艺，该工艺包括如下步骤：a.芯片P面预焊：用焊锡量大小一致的焊片进行芯片P面预焊，而保证芯片的N面平整；b.锡膏沾笔沾锡膏：用锡膏笔沾定量的锡膏于料片上；c.预焊芯片定位：在b步骤后通过锡膏较大的粘度将芯片平整的N面定位在料片上；d.料片组合；e.进隧道炉焊接。本发明的有益效果是：用焊锡量大小一致的焊片进行芯片P面预焊，使芯片P面的焊锡量的多少得到充分保证；用粘度比较大的焊锡膏对芯片进行定位，从而改善了助焊剂粘度不够而致焊接偏位的不良；一则该方法投入成本极少，操作方便；二则大大减少了人工调整偏出芯片的时间，提高效率2.5倍以上；三则将原焊接偏位不良率15％降低到0％。
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公开(公告)号：CN204257631U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420719053.4
申请日：2014-11-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型公开了一种新结构薄型桥式整流器，该整流器框架为共阴极结构，和玻璃钝化硅芯片、铜跳线组成整流桥电路，框架晶粒焊点位置不做特殊处理，去掉凸点、网面等定位标志，芯片均呈P面朝上。本实用新型的有益效果：结构简单，通过结构上的改动解决了目前装填技术上效率低的问题；料片焊面平整光洁，解决了焊接空洞率偏大、可信赖性不佳的问题。
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